刘岩
,
黄政仁
,
刘学建
,
袁明
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00817
采用四元Ag-Cu-In-Ti焊料成功地连接了常压烧结SiC陶瓷. 研究了钎焊温度和保温时间对碳化硅连接强度的影响, 同时通过EPMA和TEM分析连接界面的微观结构, 并且探讨了连接的原理. 试验结果表明, 在700～780℃试验温度范围内, 碳化硅的连接强度存在峰值, 最高四点弯曲强度达到了234MPa, 但是连接强度随着保温时间的增加呈现单调下降趋势. 接头微观结构由基体SiC、反应层和焊料三部分组成, 连续致密的反应层紧密连接基体和焊料, 反应层由带状层、TiC层和Ti5Si3层组成, 带状层宽度约20nm, 由Ag、In、Si和少量的Ti、Cu组成. 元素线扫描结果显示焊料中的活性元素Ti含量在反应层内形成峰值, 活性元素Ti与SiC发生反应生成新的反应层是连接的主要因素.
关键词:
Ag-Cu-In-Ti
,
SiC
,
joining strength
,
interface structure
刘岩
,
黄政仁
,
刘学建
,
袁明
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00817
采用四元Ag-Cu-In-Ti焊料成功地连接了常压烧结SiC陶瓷.研究了钎焊温度和保温时间对碳化硅连接强度的影响,同时通过EPMA和TEM分析连接界面的微观结构,并且探讨了连接的原理.试验结果表明,在700～780℃试验温度范围内,碳化硅的连接强度存在峰值,最高四点弯曲强度达到了234MPa,但是连接强度随着保温时间的增加呈现单调下降趋势.接头微观结构由基体SiC、反应层和焊料三部分组成,连续致密的反应层紧密连接基体和焊料,反应层由带状层、TiC层和Ti5Si3层组成,带状层宽度约20nm,由Ag、In、Si和少量的Ti、Cu组成.元素线扫描结果显示焊料中的活性元素Ti含量在反应层内形成峰值,活性元素Ti与SiC发生反应生成新的反应层是连接的主要因素.
关键词:
Ag-Cu-In-Ti
,
SiC
,
连接强度
,
界面结构
