孙瑶
,
汪洪
航空材料学报
doi:10.11868/j.issn.1005-5053.2015.4.005
采用射频反应溅射制备SiNx薄膜,作为以Ag膜为功能层的D/M/D结构透明导电膜中的电介质膜,并研究射频功率、气压以及N2流量对SiNx薄膜光学常数的影响.结果表明,SiNx薄膜具有非晶态结构,光学常数在300～ 2500nm波长范围内符合正常色散关系.椭偏测试及Cauchy模型拟合结果表明,折射率随功率、气压以及N2流量升高而降低,SiNx光学常数最佳的工艺条件为功率300W,气压0.16Pa,N2与Ar流量比例1∶1,此时薄膜折射率为2.02,消光系数为0,最接近具有化学计量比的Si3N4薄膜的光学常数.按此工艺制备的SiNx膜在优化厚度为44nm的条件下作为20nm厚度Ag膜的电介质膜,当只有表面SiNx膜时,Ag膜透光率由29.17％提高至55.01％,当Ag膜上下均制备SiNx膜时,透光率进一步提高至66.12％.
关键词:
SiNx膜
,
Ag膜
,
折射率
,
椭偏仪
,
透光率
孙瑶
,
汪洪
材料热处理学报
以金属Ag作为红外反射功能层的低辐射多层膜受热易产生团聚,严重损害导电性与低辐射性能.本文提出在金属Ag膜层中掺杂Ti元素,研究Ti掺杂对Ag基低辐射多层膜的团聚抑制作用以及对热处理后性能的影响.采用磁控溅射制备SiN/Ag/SiNx与SiN/Ag-Ti(1.1 at％)/SiNx多层膜,其中Ag(Ti)层厚度为20 nm,并进行真空与非真空热处理(大气环境).通过对比有无Ti掺杂的Ag基多层膜热处理前后的背散射电子形貌、面电阻、辐射率与透光率,发现无论真空还是非真空热处理,Ti掺杂均显著提高Ag膜的热稳定性,抑制团聚的生成.热处理后的面电阻、辐射率与透光率均显著优于未掺杂Ag基多层膜.进一步,观察背散射电子形貌随热处理温度的变化,分析了无掺杂Ag膜团聚的形成过程,并推测了Ti掺杂对Ag膜团聚的抑制机理.
关键词:
低辐射
,
银膜
,
团聚
,
热稳定性
,
掺杂
