庞重军
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白明武
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严洁
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王博
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林义民
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2007.03.007
极薄薄膜的覆盖率有时难以用常规方法定量表征.本文提出了一套以单层薄膜的角分辨X射线光电子能谱(ARXPS)模型测定极薄薄膜的厚度h,以恰好不再能检测到基底信号的光电子出射角(TOA)为最小基底信号起飞角θmin,以最大裸露线宽L=h/tgθmin为直径的圆形裸露区模型估算薄膜覆盖率的新方法.将该方法应用于热蒸镀法在羟基化硅基底上制备的极薄的岛状金膜,当TOA>17.5°时Au 4f的峰强变化与单层膜的ARXPS模型吻合得很好;当TOA<7.5°时不再能检出基底信号;测得金膜的厚度为16.0±0.4?,金膜覆盖率为~92%.
关键词:
材料检测与分析技术
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薄膜厚度
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覆盖率
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ARXPS
,
金膜