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李娟 , 胡小波 , 高玉强 , 王翎 , 徐现刚
人工晶体学报
采用透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术对氮化硼坩埚中自发成核的AIN单晶生长习性进行了研究.结果表明,在低温下,AIN单晶显露面为(0001)面,随着温度的升高,AIN单晶显露面转化为(1120)面.沟槽结构是高温下得到的AIN单晶共有的显著特征,其取向沿[0001]方向.
关键词: 透射电子显微术 , 高分辨x射线衍射仪 , AIN单晶
