黄俊
,
魏珂
,
刘新宇
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.02.017
对AlGaN/GaN HEMT栅槽低损伤刻蚀技术进行研究,通过加入小流量的具有钝化缓冲作用的C2H4,对Cl2/Ar/C2H4的工艺条件进行了优化,有效地降低了栅槽刻蚀造成的AlGaN表面损伤和器件退化,同时防止反应生成物淀积在栅槽表面,改善了肖特基结特性,提高了栅极调控能力,实现凹栅槽的低损伤刻蚀.
关键词:
AIGaN/GaN
,
HEMT
,
凹栅槽
,
低损伤刻蚀
,
C2H4
