马江涛
,
滕冰
,
钟德高
,
曹丽凤
,
温吉龙
,
人工晶体学报
采用一种全新的ADP晶体生长方法,使晶体首先恢复其理想外形,实现晶体的全方位生长,从而提高晶体的生长速度.并对所得晶体进行了透过率,激光散射,摇摆曲线测试及热重差热分析,与常规生长方法比较并分析了全方位生长方法的优势.
关键词:
ADP晶体
,
全方位生长
,
理想外形
,
生长速度
喻江涛
,
李明伟
,
王晓丁
功能材料
ADP晶体{100}面族微观形貌的非实时AFM(atomic force microscopy,AFM)成像表明,过饱和度σ=0.053时,晶面上出现二维成核生长;随σ增加至0.11,二维岛数量急剧增加,尺寸减小,分布渐趋均匀,二维成核生长逐渐增强,界面呈现出由光滑向粗糙转变的特征;各二维岛形状趋近于长条形,表现出各向异性,长轴平行于[001]晶向;二维岛上有单分子高度的台阶和台阶聚并后高度为2～3nm的大台阶;二维岛间融合时取向相同;σ=0.053时,融合后所形成的较大二维岛的生长呈现出周边快中心慢的情况,将可能导致产生晶体缺陷.
关键词:
ADP晶体
,
二维岛
,
过饱和度
,
AFM
喻江涛
,
李明伟
,
曹亚超
,
王晓丁
,
程旻
功能材料
ADP晶体{100}面族生长的实时与非实时AFM(atomic force microscopy,AFM)研究表明,过饱和度σ处于0.005～0.04,生长温度介于293～313K之间时,晶面上观察到位错生长丘和其它晶体缺陷所形成的生长丘,晶面主要为台阶推进方式生长;位错生长丘上空洞的出现与位错弹性理论相符;随过饱和度σ降低,台阶形貌会发生相应变化;生长温度为298K时,台阶棱边能不小于6.2×10-7J/cm2.
关键词:
ADP晶体
,
生长丘
,
台阶
,
台阶棱边能
,
AFM
马江涛
,
滕冰
,
钟德高
,
曹丽凤
,
温吉龙
人工晶体学报
本论文研究的全方位生长装置能解决常规的ADP晶体的单向生长问题.在这套装置中,籽晶完全位于溶液中央,籽晶可以首先恢复其理想的结晶学外形.在晶体生长过程中,晶体在各个方向的生长均为自由生长,且育晶器中央的溶液稳定性也明显高于育晶器顶部和底部.这些因素都有利于ADP晶体的优质快速生长.实验所得晶体的质量通过透过率、晶体内缺陷位错密度、高分辨率X射线衍射表征,并将所得结果与常规方法进行了比较.
关键词:
ADP晶体
,
全方位生长
,
理想外形
,
生长装置
程高
,
李明伟
,
尹华伟
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160047
本研究制备了具有不同形式棱角的NH4H2PO4(ADP)晶体Z切片样品.通过实验,观察不同Z切片薄表面层形成及生长特性,并计算了不同棱角情况下薄表面层的切向生长速度V及其动力学系数β.结果表明,正常棱角的缺失,影响Z切片对其原有形态的“判断”,进而影响薄表面层的形成及生长;薄表面层在正常棱角处相遇形成相交角后,将主要在相交角处形成并向棱边扩展生长,表明棱角可能为薄表面层的主要生长源.此外,计算结果显示,正常棱角处薄表面层切向生长的平均生长动力学系数βn为131.8 μm/s,远大于棱角缺失后薄表面层切向生长的平均生长动力学系数βα=1 1.6 μm/s,即正常棱角缺失后,薄表面层的切向生长速度将大大降低.
关键词:
ADP晶体
,
薄表面层
,
棱角
,
生长动力学
