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A:Al₂O₃(A=Cr, Fe, Ni)晶体生长及其缺陷研究

范修军 , 王越 , 徐宏

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01266

报道了A:Al₂O₃(A=Cr, Fe, Ni)晶体光学浮区法生长工艺, 研究了旋转速率、生长速率对晶体质量的影响, 制备出了直径6~8 mm、长度为60~80 mm的A:Al₂O₃晶体. A:Al₂O₃晶体的生长方向为<001>方向, X射线双晶摇摆曲线表明A:Al₂O₃晶体具有良好的晶体质量. 通过X射线衍射、扫描电镜、偏光显微镜对晶体中的生长缺陷进行了研究, 结果表明, A:Al₂O₃晶体的主要缺陷为小角度晶界、包裹体和溶质尾迹. 研究了A:Al₂O₃晶体的光谱性能, 并对A:Al₂O₃晶体的介电性能进行了测量, 室温下1000 kHz时A:Al₂O₃晶体表现出较高的介电系数e_r(12.1~15.7)和较小的介电损耗tand(0.0020~0.0002).

关键词: A:Al₂O₃ , single crystal growth , floating zone technique , crystal defects

A:Al2O3(A＝Cr,Fe,Ni)晶体生长及其缺陷研究

范修军 , 王越 , 徐宏

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01266

报道了A:Al2O3(A=Cr,Fe,Ni)晶体光学浮区法生长工艺,研究了旋转速率、生长速率对晶体质量的影响,制备出了φ6～8 mm、长度为60～80 mm的A:Al2O3晶体.A:Al2O3晶体的生长方向为<001>方向,X射线双晶摇摆曲线表明A:Al2O3晶体具有良好的晶体质量.通过X射线衍射、扫描电镜、偏光显微镜对晶体中的生长缺陷进行了研究,结果表明,A:Al2O3晶体的主要缺陷为小角度晶界、包裹体和溶质尾迹.研究了A:Al2O3晶体的光谱性能,并对A:Al2O3晶体的介电性能进行了测量,室温下1000 kHz时A:Al2O3晶体表现出较高的介电系数εr(12.1～15.7)和较小的介电损耗tanδ(0.0020～0.0002).

关键词: A:Al2O3 , 晶体生长 , 光学浮区法 , 晶体缺陷

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