韩荣江
,
王继扬
,
胡小波
,
董捷
,
李现祥
,
李娟
,
王丽
,
徐现刚
,
蒋民华
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.013
利用光学显微镜的反射模式观察了升华法生长的6H-SiC单晶(0001)Si-面的生长形貌,应用台阶仪测定了生长台阶高度.实验发现,6H-SiC单晶的生长台阶呈螺旋状,生长台阶呈现出了韵律束合现象.在单晶中间部分,生长台阶稀疏,台面较宽,约80μm左右,台阶高度较小,约20～50nm,比较宽的台面上存在小生长螺旋.外围单晶区域,生长台阶比较密集,其台阶高度较大,约300～700nm,台面宽度较小,约2～5μm.生长台阶在前进过程中受单晶中的微管缺陷影响,在微管的附近出现弯曲.
关键词:
6H-SiC单晶
,
表面生长形貌
,
生长台阶
,
韵律束合现象
李现祥
,
胡小波
,
董捷
,
姜守振
,
李娟
,
陈秀芳
,
王丽
,
徐现刚
,
王继扬
,
蒋民华
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.009
本文模拟了升华法生长6H-SiC单晶的不同温度场,并进行了相应的生长实验.结果表明:改变石墨坩埚和感应线圈的相对位置,可以改变温度场形状;下移石墨坩埚;可以增大温度场径向温度梯度.在不同的径向温度梯度下,6H-SiC晶体分别以凹界面、平界面和凸界面生长.晶体生长界面的形状和速率影响晶体多型的产生,在平界面,生长速率小于300μm/h的晶体生长条件下,可获得无多型的高质量6H-SiC单晶.
关键词:
温度场
,
6H-SiC单晶
,
径向温度梯度
,
多型
韩荣江
,
王继扬
,
胡小波
,
徐现刚
,
董捷
,
李现祥
,
蒋民华
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.002
利用透射偏光显微术、同步辐射X射线形貌术、高分辨X射线衍射方法对6H-SiC(0001)晶片中的微管和小角度晶界等缺陷进行了研究.实验发现,在透射偏光显微镜下,微管通常呈现为蝴蝶形,这是由于微管周围存在着应力场,且应力分布不均匀,当线偏振光在通过微管周围区域时传播速度不同造成的.从X射线背反射同步辐射形貌像得到晶片中微管的Burgers矢量大小在2c到10c之间.从晶片00012衍射的双晶衍射摇摆曲线可以看出,晶片的中间大部分区域质量很好,双晶衍射峰为单峰且半峰宽很窄,一般为35"左右.在外围区域双晶衍射峰的半峰宽变宽,有些区域还会出现衍射峰的分裂,这说明外围区域有嵌镶块结构存在.
关键词:
透射偏光显微术
,
同步辐射X射线形貌术
,
高分辨X射线衍射
,
6H-SiC单晶
,
微管
,
小角度晶界
李翠
,
杨立文
,
蒋秉轩
,
杨志民
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2012.06.017
平面六方空洞是SiC晶体中一种典型的体缺陷,其存在严重影响了晶片的质量.因此,研究和去除平面六方空洞缺陷对提高晶片质量有重要意义.使用物理气相输运法(physical vapor transport,PVT)制备了4块6H-SiC单晶,使用光学显微镜观察了平面六方空洞的分布和形貌特征,并研究其形成机制.结果表明,平面六方空洞的形成主要由籽晶背向分解造成的.籽晶背向分解存在两个必要条件:籽晶背面存在与其相接触的气孔；气孔内与籽晶背面相接触的区域比其他区域温度高.籽晶背面的TaC致密膜层能够抑制籽晶背面的分解.结合使用在籽晶背面生成致密TaC膜层和粘结固定两种措施,有效地抑制了籽晶的背面分解,得到了无平面六方空洞缺陷的SiC晶体.
关键词:
PVT
,
6H-SiC单晶
,
平面六方空洞
,
背向分解
胡小波
,
徐现刚
,
李现祥
,
董捷
,
韩荣江
,
王丽
,
李娟
,
王继扬
,
田玉莲
,
黄万霞
,
朱佩平
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.012
采用同步辐射单色光形貌术观察了6H-SiC单晶中的微管缺陷,发现晶片中Burgers矢量为1c的螺位错具有较高的密度.此外,还观察到对应较大Burgers矢量的微管.基于微管附近的应变场,并根据衍射几何,模拟计算了一系列具有不同Burgers矢量的微管在形貌像中的直径,计算结果与实验观察符合较好.
关键词:
同步辐射单色光形貌术
,
6H-SiC单晶
,
微管
,
模拟计算
