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Al2O3对应变SiGe上HfO2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响

徐大朋 , 万里 , 程新红 , 何大伟 , 宋朝瑞 , 俞跃辉 , 沈达身

稀有金属材料与工程

研究了阻挡层Al2O3对应变SiGe上HfO2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响.高分辨透射电镜(HRTEM)像表明,阻挡层使HfO2在700℃温度下退火后仍然是非晶的.散能X射线谱(EDS)分析表明,阻挡层抑制了Si原子在HfO2薄膜中的扩散.X射线光电子谱(XPS)测试表明,阻挡层抑制了界面处HfSiO和GeO的x生长.电学测试分析说明,带有阻挡层的MIS电容的电学性能得到提高,包括60Coγ射线辐射后较高的电容密度、较低的缺陷密度、以及较小的平带电压漂移.

关键词: HfO2 , Al2O3 , 60Coγ射线辐射

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