孙国胜
,
王雷
,
巩全成
,
高欣
,
刘兴昉
,
曾一平
,
李晋闽
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.005
本文报道用在Si台面及热氧化SiO2衬底上3C-SiC薄膜的LPCVD生长,反应生长使用的气体为SiH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、以及室温Hall测试对所生长的3C-SiC材料进行了测试与分析,结果表明在3C-SiC和SiO2之间没有明显的坑洞形成.
关键词:
3C-SiC
,
LPCVD生长
,
Si台面
,
SiO2/Si
陈小庆
,
孙利杰
,
邬小鹏
,
钟泽
,
傅竹西
功能材料
用MOCVD方法在Si基片上生长了Al掺杂的SiC薄膜,发现三甲基铝(TMA)源载气流量与硅烷流量之比的大小,会决定薄膜的导电类型.用XPS方法测试样品后发现,TMA载气流量与硅烷流量比直接影响Al原子在SiC薄膜中的含量.Al含量在1.5%以下,Al原子在SiC薄膜中主要以填隙形式(Ali)存在,薄膜显示出n型;而Al含量在1.5%～3%之间的时候,Al原子主要以替位Si(AlSi)的形式存在,薄膜显示出p型.继续增加掺杂源的流量,所得SiC薄膜结晶质量会变得较差,电阻也变得较高.
关键词:
3C-SiC
,
SiC:Al
,
MOCVD
,
导电类型
石彪
,
朱明星
,
陈义
,
刘学超
,
杨建华
,
施尔畏
硅酸盐通报
3C-SiC薄膜的外延生长一直是SiC材料制备领域的一个热点,单晶Si衬底异质外延3C-SiC是实现大尺寸、低成本薄膜的有效方法,备受人们关注.单晶Si与3C-SiC之间存在较大的晶格失配(20％)和热膨胀系数差异(8％),严重制约着高质量单晶薄膜的制备.本文对单晶Si衬底异质外延3C-SiC薄膜的基本原理和工艺过程进行了总结,着重介绍了薄膜生长中的缺陷和可控掺杂方面的研究进展以及面临的挑战,并对今后的研究热点做了归纳展望.
关键词:
3C-SiC
,
化学气相沉积
,
异质外延
,
缺陷
石彪
,
刘学超
,
周仁伟
,
杨建华
,
郑燕青
,
施尔畏
人工晶体学报
本文以Si(100)为衬底,利用水平式常压冷壁化学气相沉积(APCVD)系统在不同温度(1100～1250℃)下制备的“缓冲层”上生长了3C-SiC薄膜.结果表明,薄膜为外延生长的单一3C-SiC多型,薄膜表面呈现“镶嵌”结构特征,Si/3C-SiC界面平整无孔洞.碳化温度对薄膜的结晶质量和表面粗糙度有显著的影响,当碳化温度低于或高于1200℃时,薄膜的结晶质量有所降低,且随着碳化温度的升高,薄膜表面粗糙度呈现增大的趋势.当在1200℃下制备的“缓冲层”上生长薄膜时,可以获得最优质量的3C-SiC外延膜,其(200)晶面摇摆曲线半峰宽约为0.34°,表面粗糙度约为5.2nm.
关键词:
3C-SiC
,
碳化
,
结晶质量
,
缓冲层
苏剑峰
,
郑海务
,
林碧霞
,
朱俊杰
,
傅竹西
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.03.002
用LPMOCVD方法在P-Si(111)衬底上异质外延生长SiC,用碳化方法生长出具有单晶结构的3C-SiC薄膜,研究了开始碳化温度、丙烷流量和碳化时间对结晶质量的影响.结果表明,在较低的温度开始碳化不利于丙烷的分解,不能形成很好的过渡层;碳化时丙烷流量过大会造成碳污染,碳化时间过长使过渡层的结晶质量降低.最佳的碳化条件为:开始碳化温度1150℃,碳化时间和碳化时丙烷的流量分别为8 min和2 sccm.
关键词:
无机非金属材料
,
LPMOCVD
,
3C-SiC
,
p-Si(111)衬底
