卢振亚
,
黄欢
,
吴建青
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00841
实验研究了TiO2、Co3O4、Cr2O3、Ni2O3和MnO掺杂对SnO2-Sb2O3基压敏陶瓷材料微观结构和电性能的影响. 研究结果表明, TiO2和Co3O4促进SnO2陶瓷烧结致密化, 根据XRD图谱分析结果, Co3O4与SnO2反应形成了Co2SnO4晶相, TiO2则固溶于SnO2晶相;Sb元素的引入能够促进SnO2晶粒的半导化;复合添加Cr2O3、Ni2O3和MnO可以有效提高材料的电压非线性特性和脉冲电流冲击耐受能力. 获得电性能接近实用化的SnO2压敏陶瓷样品, 其压敏电压V1mA约为350V/mm, 非线性系数α达到50, 漏电流小于5μA, 并且在8/20μs脉冲电流冲击试验中,直径14mm的样品能够经受2kA的脉冲峰值电流.
关键词:
SnO2压敏电阻
,
densification
,
withstanding surge current test
