段兴凯
,
胡孔刚
,
丁时锋
,
满达虎
,
张汪年
,
马明亮
稀有金属
采用真空熔炼和热压方法制备了Ga和K双掺杂Bi0.5Sb1.5Te3热电材料.XRD结果表明,Ga0.02Bi0.5Sb1.48-xKxTe3块体材料的XRD图谱与Bi0.5Sb1.5Te3的XRD图谱对应一致,但双掺杂样品的衍射峰略微向左偏移.热压块体材料中存在明显的(001)晶面择优取向.SEM形貌表明材料组织致密且有层状结构特征.Ga和K双掺杂可使Bi0.5Sb1.5Te3在室温附近的Seebeck系数有一定的提高,而双掺杂样品的电导率均得到了不同程度的提高,其中Ga0.02Bi0.5Sb1.42K0.06Te3样品的电导率得到较明显的改善.在300～500 K测量温度范围内,所有双掺杂样品的热导率高于Bi0.5Sb1.5Te3的热导率,在300 K附近双掺杂样品的ZT值得到提高,其中Ga0.02Bi0.5Sb1.42K0.06Te3样品在300 K时ZT值达到1.5.
关键词:
双掺杂
,
真空熔炼
,
热压
,
显微结构
,
热电性能
