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真空蒸发法制备PbI2多晶薄膜研究

李玉红 , 张弘 , 李振生 , 李丹民 , 贺德衍

无机材料学报

用真空蒸发法在玻璃衬底上制备了PbI2多晶薄膜,对样品的微结构、表面形貌、化学组分及电阻率进行了测试分析.结果表明,样品具有良好的多晶结构,并沿六角密堆积结构的c轴向高度择优取向.室温下样品暗电导率为3.09×10-11(Ω·cm)-1,电导激活能为0.78eV.

关键词: PbI2多晶薄膜 , vacuum evaporation , radiation detect

强磁场作用时间对氧化法制备的Co掺杂ZnO薄膜微观结构和光学性能的影响

李国建 , 王振 , 王强 , 王慧敏 , 杜娇娇 , 马永会 , 赫冀成

金属学报 doi:10.11900/0412.1961.2014.00376

利用FESEM,XRD和紫外可见分光光度计研究了强磁场作用时间对真空蒸发氧化法制备的Co掺杂ZnO薄膜微观结构和光学性能的影响.结果表明:强磁场抑制了ZnO珊瑚枝状形貌的生长,氧化60 min时,无磁场下生长成球状颗粒,而6T磁场下则生长成片状组织.强磁场作用时间的增加会使薄膜的择优生长从(101)变成(002);影响磁性Co原子在ZnO中的分布;薄膜的禁带宽度降低到2.95~3.13 eV的范围内.另外,无磁场时氧化时间的增加会降低薄膜的透光率,而强磁场下氧化时间的增加会提高透光率.这些研究结果为ZnO薄膜表面形貌、择优生长、磁性原子分布、透光率和禁带宽度等微观结构和光学性能的调控提供了一种新方法.

关键词: ZnO薄膜 , Zn氧化 , 透光率 , 强磁场 , 真空蒸发

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