陈志强
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方国家
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李春
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盛苏
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赵兴中
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00707
利用脉冲激光沉积法(PLD)制备了Ga掺杂的Zn0.9Mg0.1O(ZMO:Ga)宽带隙透明导电薄膜. 采用各种分析手段研究了沉积温度和真空退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响. 结果表明, 制备的薄膜具有ZnO(002)择优取向; 200℃下沉积的薄膜通过3×10-3Pa的真空400℃退火2h后, 其电阻率由8.12×10-4Ω·cm减小到4.74×10-4Ω·cm, 禁带宽度则由原来的3.83eV增加到3.90eV. 退火处理增强了薄膜的择优取向和结晶度、增加了禁带宽度、提高了载流子浓度并使其透射谱线的光学吸收边发生蓝移现象.
关键词:
ZnMgO:Ga膜
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pulsed laser deposition (PLD)
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substrate temperature
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vacuum annealing
罗江山
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易勇
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李喜波
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舒远杰
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唐永建
稀有金属材料与工程
对采用自悬浮定向流技术制备的TiAl金属间化合物纳米粉末进行真空退火,考察退火工艺参数对其相转变过程的影响.X射线衍射等分析表明:随着退火温度的升高以及退火时间的延长,纯α2-Ti3Al相纳米粉末向γ-TiAl相转化的程度逐渐增加,其晶粒尺寸也逐渐变大.将其纳米粉末真空压制成块体也有助于上述相转变.对复相的纳米块体进行真空退火,可以得到纯y-TiA1相的纳米晶合金.
关键词:
TiAl金属间化合物
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纳米粉末
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真空退火
,
相转变
