材料期刊网

基于单根InAs纳米线场效应晶体管的制备及其电学性能研究

郑定山 , 邹旭明 , 蒋涛

人工晶体学报

利用化学气相沉积法在Si衬底上生长合成了InAs纳米线,制备了基于InAs纳米线场效应晶体管并研究了电输运特性.对器件的阈值电压、亚阈值斜率、跨导、场效应迁移率以及载流子浓度等参数进行了计算和讨论.结果表明,InAs纳米线器件阈值电压约为-6.0 V,亚阈值斜率为180.86 mV/decade,跨...

关键词: InAs纳米线 , 场效应晶体管 , 阈值电压 , 迁移率