刘金锋
,
刘忠良
,
武煜宇
,
徐彭寿
,
汤洪高
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00720
利用固源分子束外延(SSMBE)技术, 在Si(111)衬底上异质外延生长3C-SiC单晶薄膜, 通过RHEED、XRD、AFM、XPS等实验方法研究了衬底温度对薄膜结构、形貌和化学组分的影响. 研究结果表明, 1000℃生长的样品具有好的结晶质量和单晶性. 在更高的衬底温度下生长, 会导致大的孔洞形成, 衬底和薄膜间大的热失配使降温过程中薄膜内形成更多位错, 从而使晶体质量变差. 在低衬底温度下生长, 由于偏离理想的化学配比也会导致薄膜的晶体质量降低.
关键词:
碳化硅薄膜
,
Si substrate
,
solid source molecular beam epitaxy
,
substrate temperature
王传彬
,
涂溶
,
後藤孝
,
沈强
,
张联盟
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00553
采用脉冲激光沉积(PLD)技术, 在MgO(100)基片上制备了b轴取向的BaTi2O5薄膜, 研究了基片温度(Tsub)、氧分压(PO2)等沉积工艺对薄膜结构的影响. 结果表明: BaTi2O5薄膜的物相及取向性都随基片温度和氧分压的改变而变化, 薄膜呈现(710)或(020)取向生长, 最佳的PLD沉积条件为T sub=700℃和P O2=12.5Pa. 在该条件下, BaTi2O5薄膜表现出明显的b轴取向, 薄膜表面平整光滑, 结晶良好, 晶粒呈棒状交叉分布, 结合紧密.
关键词:
BaTi2O5薄膜
,
b-axis orientation
,
substrate temperature
,
oxygen partial pressure
陈志强
,
方国家
,
李春
,
盛苏
,
赵兴中
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00707
利用脉冲激光沉积法(PLD)制备了Ga掺杂的Zn0.9Mg0.1O(ZMO:Ga)宽带隙透明导电薄膜. 采用各种分析手段研究了沉积温度和真空退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响. 结果表明, 制备的薄膜具有ZnO(002)择优取向; 200℃下沉积的薄膜通过3×10-3Pa的真空400℃退火2h后, 其电阻率由8.12×10-4Ω·cm减小到4.74×10-4Ω·cm, 禁带宽度则由原来的3.83eV增加到3.90eV. 退火处理增强了薄膜的择优取向和结晶度、增加了禁带宽度、提高了载流子浓度并使其透射谱线的光学吸收边发生蓝移现象.
关键词:
ZnMgO:Ga膜
,
pulsed laser deposition (PLD)
,
substrate temperature
,
vacuum annealing
魏丽娟
,
刘贵山
,
冯同
,
郝洪顺
,
胡志强
,
高文元
人工晶体学报
采用一步蒸发法分别在钠钙硅玻璃基底、Mo基底上制备Cu(In,Ga) Se2(CIGS)薄膜,通过改变基底温度研究了玻璃和钼基底下CIGS薄膜晶体结构随温度变化情况,采用XRD、SEM、XRF及UV-vis对CIGS薄膜组成、结构及性能进行了表征.结果表明:在玻璃和Mo基底下制备的CIGS薄膜具有均匀一致的化学计量比组成,不同基底温度下,薄膜呈片状和柱状两种结构,片状结构的光吸收系数和禁带宽度高于柱状结构的光吸收系数和禁带宽度.
关键词:
一步蒸发法
,
CIGS薄膜
,
基底温度
,
晶体结构
刘杰
,
黑立富
,
陈广超
,
李成明
,
宋建华
,
唐伟忠
,
吕反修
人工晶体学报
采用非循环直流喷射(直喷式)直流电弧等离子化学气相沉积法,在Ar/H2/CH4气氛下,成功制备了金刚石单晶外延层.试验采用的是3 mm×3 mm×1.2 mm的高温高压Ib型金刚石单晶衬底.研究了不同衬底温度和甲烷浓度对金刚石单晶外延层的形貌,速率和晶体质量的影响.采用光学显微镜,激光共聚焦表征了样品的形貌,利用千分尺测量其生长速率,利用Raman表征其晶体质量,采用OES诊断Ar/H2/CH4等离子气氛下C2、CH与Hβ的相对浓度.研究表明,温度和甲烷浓度对单晶刚石形貌和质量产生了明显的影响.在衬底为温度980℃,甲烷浓度在1.5％的条件下,生长速率达到了36 μm/h,并且晶体质量较好(半高宽仅为1.88 cm-1).同时发现生长参数对金刚石单晶外延层的生长模式有着显著地影响.
关键词:
金刚石单晶
,
外延层
,
衬底温度
,
甲烷浓度
,
生长速率
彭柳军
,
杨雯
,
陈小波
,
自兴发
,
杨培志
,
宋肇宁
人工晶体学报
采用磁控共溅射沉积法,以氧化锌和硫化锌为靶材,在不同衬底温度下制备了Zn(O,S)薄膜.采用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计、霍尔测试仪和拉曼光谱测试仪对Zn(O,S)薄膜进行了结构和光电特性研究.结果表明:Zn(O,S)薄膜具有六方纤锌矿结构,属于二模混晶;在可见-近红外波段的吸收率小于5％;其为N型半导体,电学特性随衬底温度的变化而变化;衬底温度为200℃时制备的厚度为167 nm的Zn(O,S)薄膜的载流子浓度达到8.82×1019 cm-3,迁移率为19.3 cm2/V·s,表面呈金字塔结构.
关键词:
Zn(O,S)薄膜
,
磁控共溅射
,
衬底温度
,
光电性能
郭俊婷
,
徐阳
材料科学与工程学报
采用射频磁控溅射技术在PET针刺毡表面沉积了纳米结构Cu薄膜,试图利用等离子体预处理的方法来改善薄膜与基材之间的结合牢度.采用扫描电子显微镜(SEM)对低温等离子体预处理前后基材表面形貌的变化进行了分析,同时利用静态液滴形状观察法和接触角测试分析了等离子体处理前后样品的润湿性能.采用X射线能谱仪(EDX)对纳米结构Cu薄膜进行了元素分布及定量分析.结合抗静电性能测试,采用冷热循环试验研究了Ar和O2等离子体预处理对Cu薄膜结合牢度的影响.研究发现,低温等离子体预处理不仅能改善沉积Cu薄膜PET针刺毡的抗静电性能,还能提高膜-基结合牢度和基材的润湿性能.用O2等离子体处理时,膜-基结合牢度和润湿性能较好.
关键词:
等离子体处理
,
纳米结构铜薄膜
,
涤纶针刺毡
,
结合牢度
,
接触角
