黄河颜超赖新春刘天伟张庆瑜
金属学报
采用嵌入原子势, 运用分子动力学 (MD) 研究了Ti(0001) 表面低能沉积不同能量Ti原子时表面吸附、溅射和空位的变化. 低能Ti原子沉积Ti(0001) 表面过程
中, 存在一个溅射能量阈值, 其值大约为40---50 eV. 入射原子能量低于溅射阈值时, 入射原子可以认为是沉积原子; 入射原子能量大于溅射阈值时, 溅射产额随入射原子能量的增加而线性增加. 表面吸附原子和溅射原子的分布都呈现6次旋转对称, 当入射原子能量大于溅射阈值时, 表面吸附原子主要是基体表层原子, 入射原子直接成为表面吸附原子的概率很小. 空位缺陷主要分布在基体的最表层, 当入射原子能量大于溅射阈值时, 基体次表层产生的空位缺陷随入射原子能量的增加而增多.
关键词:
分子动力学 (MD)
,
embedded atom method (EAM)
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sputtering
,
adsorption
,
vacancy
王明娥
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巩水利
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马国佳
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刘星
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张林
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王达望
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陆文琪
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董闯
稀有金属材料与工程
采用温度梯度法,通过MW-ECR射频磁控溅射在硅片基底上制备了六方和立方混合的氮化硼薄膜.研究了薄膜的键结构,化学成分和力学性能.结果显示,对于氮化硼立方相的出现存在温度阈值,薄膜的硬度随沉积温度提高而提高.相对于传统薄膜制备方法,温度梯度方法具有更高的效率.
关键词:
氮化硼薄膜
,
溅射
,
温度梯度法
,
硬度
欧阳良琦
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赵明
,
庄大明
,
孙汝军
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郭力
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李晓龙
,
曹明杰
材料研究学报
使用磁控溅射铜铟镓硒(CuIn1-x GaxSe2,CIGS)四元陶瓷靶材制备沉积态预制膜,在240-550℃对预制膜进行退火处理,着重研究了退火温度对薄膜电学性能(载流子浓度及迁移率)的影响.结果表明:退火温度低于270℃时薄膜中存在CuSe低电阻相,CIGS薄膜的载流子浓度在1017-1019cm-3,迁移率在0.1 cm2·V-1·s-1左右,不适于作为太阳电池的吸收层;当退火温度高于410℃时薄膜中不存在CuSe相,薄膜具有10 cm2·V-1s-1左右的较高迁移率,载流子浓度在1014-1017cm-3;退火温度高于410℃时,随着退火温度的升高薄膜晶粒长大,结晶性增强,此时薄膜内部缺陷减少,载流子浓度升高;对于用作太阳电池吸收层的CIGS,从载流子浓度及迁移率的角度评判,合适的退火温度区间为450-550℃.
关键词:
无机非金属材料
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太阳电池
,
铜铟镓硒
,
溅射
,
电学性能
