徐顺建
,
罗玉峰
,
李水根
,
钟炜
,
黄明道
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00083
以高比表面积的介孔碳为催化层材料通过低温烧结构建出对电极, 着重优化了其组装的染料敏化太阳电池(DSC)的整体结构和性能. 结果表明: 在碳浆料中添加Triton X100能改善碳颗粒之间以及碳催化层与衬底之间的接触界面, 促使DSC的转换效率从4.50%提升到4.82%, 增幅为7.1%. 随TiO2薄膜厚度增加, DSC的转换效率先急剧增加, 随后趋于缓和, 其变化趋势是染料吸附量与电子传输路径相互竞争的结果. 在电解质中添加磷酸三丁酯能减小电解质电阻, 促使DSC的转换效率从3.59%提升到4.42%, 增幅为23.1%. 优化后, 介孔碳对电极DSC的转换效率达到4.82%.
关键词:
介孔碳
,
counter electrode
,
low-temperature preparation
,
solar cells
罗鹏
,
赵丽霞
,
徐键
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00079
采用热注入法, 在油胺(OLA)中合成出Cu2ZnSnS4(CZTS)纳米颗粒, 并在玻璃衬底上制备了薄膜, 研究了不同合成温度对纳米颗粒生成的影响. 通过X射线衍射仪、拉曼光谱仪、透射电子显微镜、扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计对所得纳米晶材料的结构与成分、颗粒大小与形貌、光吸收谱进行了测试分析. 研究结果表明: 采用热注入法的最佳合成温度在260℃左右, 该温度下生成的多晶CZTS纳米颗粒尺寸约10 nm, 分散性良好, 光学禁带宽度约1.5 eV.
关键词:
热注入
,
Cu2ZnSnS4
,
nanoparticles
,
thin film
,
solar cells
郭春林
,
汪雷
,
戴准
,
房剑锋
,
郑佳毅
,
杨德仁
材料科学与工程学报
二氧化硅(SiO2)是制备高效晶体硅太阳电池常用的钝化手段.本文利用快速热氧化(RTO)技术在晶体硅表面制备超薄SiO2层,考察其对硅表面的钝化作用.在100%O2气氛下,900℃RTO处理180s,可以使样品的少子寿命达到146.6μs的最佳值.采用RTO方法制备的SiO2薄膜厚度可以控制在几个纳米范围.通过与等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统沉积的氮化硅(SiNx)薄膜形成叠层钝化膜,可以进一步提高对太阳电池表面的钝化效果.单层SiNx薄膜钝化的样品有效载流子寿命为51.67μs,SiO2/SiNx叠层薄膜钝化的样品有效载流子寿命提高到151.18μs.
关键词:
RTO
,
SiO2薄膜
,
太阳电池
,
钝化
贾淑婷
,
王苏尧
,
韩志达
,
夏金威
,
薛丹丹
,
张磊
人工晶体学报
采用湿法化学法在太阳能级Si(100)表面沉积Ag纳米颗粒,并对Ag颗粒进行了退火处理.利用扫描电子显微镜研究了不同沉积时间及退火工艺对硅片表面Ag纳米颗粒形貌的影响规律.在此基础上采用退火前后的Ag纳米颗粒辅助化学腐蚀法制备了黑硅减反射结构,并用扫描电子显微镜观察了所制备黑硅的微结构,用紫外-可见分光光度计研究了所制备黑硅的反射率.研究表明,制备的Ag颗粒为不规则片状结构,并且随Ag沉积时间的延长,Ag颗粒逐渐长大.通过对样品退火处理,Ag颗粒收缩成球状纳米颗粒.利用未退火的Ag颗粒制备的黑硅呈不规则纳米线状微结构,在300 ~ 1100 nm范围内平均反射率为2.7%;而利用退火后球状Ag纳米颗粒制备的黑硅则呈多孔状微结构,同样波长范围内平均反射率为14.2%.
关键词:
Ag纳米颗粒
,
黑硅
,
反射率
,
太阳能电池
欧阳良琦
,
赵明
,
庄大明
,
孙汝军
,
郭力
,
李晓龙
,
曹明杰
材料研究学报
使用磁控溅射铜铟镓硒(CuIn1-x GaxSe2,CIGS)四元陶瓷靶材制备沉积态预制膜,在240-550℃对预制膜进行退火处理,着重研究了退火温度对薄膜电学性能(载流子浓度及迁移率)的影响.结果表明:退火温度低于270℃时薄膜中存在CuSe低电阻相,CIGS薄膜的载流子浓度在1017-1019cm-3,迁移率在0.1 cm2·V-1·s-1左右,不适于作为太阳电池的吸收层;当退火温度高于410℃时薄膜中不存在CuSe相,薄膜具有10 cm2·V-1s-1左右的较高迁移率,载流子浓度在1014-1017cm-3;退火温度高于410℃时,随着退火温度的升高薄膜晶粒长大,结晶性增强,此时薄膜内部缺陷减少,载流子浓度升高;对于用作太阳电池吸收层的CIGS,从载流子浓度及迁移率的角度评判,合适的退火温度区间为450-550℃.
关键词:
无机非金属材料
,
太阳电池
,
铜铟镓硒
,
溅射
,
电学性能