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高质量钨酸铅(PWO)晶体的生长

杨培志 , 廖晶莹 , 沈炳孚 , 邵培发 , 倪海红 , 方全兴 , 殷之文

无机材料学报

用改进的垂直坩埚下降法成功地生长了高质量的钨酸铅晶体，晶体毛坯的尺寸为２８ｍｉｎ×２８ｍｍ×３６０ｍｍ；晶体的生长工艺参数为：籽晶取向［００１］；下降速度 ０．６～１．０ｍｍ／ｈ；生长界面附近的温度梯度为２０～３０℃／ｃｍ，加工后的晶体成品在４２０ｎｍ附近的透过率＞６０％；在３６０ｎｍ附近的透过率＞２５％．晶体的光输出＞９ｐ．ｅ／ＭｅＶ；光伤＜５％．

关键词: 钨酸铅晶体 , modified Bridgman method , impurity analysis , scintillation perfor mance