杜玉成
,
颜晶
,
孟琪
,
李扬
,
戴洪兴
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01031
以硅藻土为基核采用共沉淀法, 制备Sb-SnO2包覆前驱体, 通过焙烧制备了多孔结构导电复合材料. Sb-SnO2包覆率影响产物导电性、焙烧温度影响Sb-SnO2晶胞参数和晶粒大小, 进而影响产物导阻率. 采用XRD、SEM、TEM、EDS、BET、FT-IR对样品进行了表征, 采用四探针仪测试样品导电性能. 当n(Sn)/n(Sb)=8/1、包覆率为25.8%、700℃焙烧样品电阻率最低为22 Ω.cm, 并具有介孔结构, 孔径为6 nm.
关键词:
硅藻土
,
porous structure
,
Sb-SnO2 coating
,
conductivity
,
resistivity
蒋晓娜
,
兰中文
,
余忠
,
庄亚明
,
刘培元
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00077
按组成Li0.35Zn0.30Fe2.29MnxO4-δ+0.005mol%Bi2O3和Li0.35Zn0.30Fe2.29O4-δ+0.005mol%Bi2O3+x/3mol%Mn3O4(x=0.02~0.08) 在920和950℃制备缺铁LiZn铁氧体,分别在原料和预烧料中添加Mn3O4. 结果表明：920℃烧结时, 在原料中添加适量Mn3O4可提高样品饱和磁化强度Ms和剩磁Br, 降低矫顽力Hc, 而在预烧料中添加Mn3O4对Ms和Br影响不大, 不完全固相反应导致两种样品Hc很高, 但在原料中添加Mn3O4的样品Hc相对较低. 950℃烧结时, 两组样品Hc均大幅下降, 但在原料中添加Mn3O4的样品Hc反而相对较高. 两种方式添加Mn3O4均可提高电阻率ρ, x=0.06时ρ出现峰值, 且在原料中添加Mn3O4的样品ρ较高.
关键词:
LiZn铁氧体
,
Mn3O4
,
magnetic property
,
microstructure
,
resistivity
张金钰张欣牛佳佳刘刚张国君孙军
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2011.00246
利用纳米压痕实验以及四探针法, 系统研究了相同层厚Cu/X(X=Cr, Nb)纳米金属多层膜的力学性能(强/硬度)和电学性能(电阻率)的尺度依赖性. 微观分析表明: Cu/X(多层膜调制结构清晰, Cu层沿{111}面择优生长, X(层沿{110}面择优生长.纳米压入结果表明, Cu/X(多层膜的强度依赖于调制周期, 并随调制周期的减小而增加. 多层膜变形机制在临界调制周期(λc≈25 nm)由Cu层内单根位错滑移转变为位错切割界面. 多层膜的电阻率不仅与表面/界面以及晶界散射相关, 而且在小尺度下受界面条件显著影响. 通过修正的FS-MS模型可以量化界面效应对多层膜电阻率的影响. Cu/$X$纳米多层膜可以通过调控微观结构实现强度-电导率的合理匹配.
关键词:
Cu/Cr
,
Cu/Nb
,
nanostructured multilayer
,
strength
,
resistivity
,
size effect
顾广瑞
,
李英爱
,
陶艳春
,
何志
,
赵永年
无机材料学报
研究了在纳米厚度范围内,TiO2薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系.利用射频磁控溅射方法,使用高纯Ti(99.99％)靶,通入Ar和O2的混合气体,制备了TiO2薄膜,薄膜膜厚15～225nm.在室温下测量了不同厚度TiO2薄膜的电阻率,发现TiO2薄膜的导电性,先后在导体、半导体和绝缘体范围变化.这归因于基底材料与TiO2的功函数不同,导致了界面电子的转移,功函数差决定了电子转移的深度.
关键词:
TiO2薄膜
,
conductivity
,
resistivity
,
transfer of electrons
顾大国
,
李国荣
,
郑嘹赢
,
曾江涛
,
丁爱丽
,
殷庆瑞
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00626
采用固相法制备了Mn改性的CaBi4Ti4O15(CBT+x mol% MnCO3)层状压电陶瓷. 介电温谱显示所有样品居里点在780℃附近, 并且发现该材料在110K处有一介电弛豫峰. Mn的加入显著降低了高温下的介电损耗, 剩余极化轻微降低, 室温介电常数从173减小到162, 同时机械品质因子由2700增加到4400, 显示了硬性掺杂的效果. 在100~600℃范围内, x=1.0的样品比纯组分的电阻率提高了一个数量级以上, 500℃的电阻率提高了约2个数量级(108Ω·cm), 电阻率对温度的Arrhenius拟合由两段过渡到三段, 压电系数d33由7提高到14.5. 实验结果表明, Mn改性的CBT在高温传感器等领域具有应用前景.
关键词:
压电陶瓷
,
Mn-modified
,
resistivity
,
CaBi4Ti4O15
胡晓君
,
李荣斌
,
沈荷生
,
戴永兵
,
何贤昶
无机材料学报
用离子注入方法,在CVD金刚石薄膜中共注入硼离子和磷离子,得到了电阻率较低的n型金刚石薄膜。Hall效应测试表明,800℃退火后,在注入的磷离子剂量相同的情况下,共注入硼的金刚石薄膜的载流子浓度与单一掺磷的相近,但Hall迁移率高,电阻率低。FTIR结果表明B-H结的形成钝化了硼的受主特性,使磷的施主特性没有被补偿,共掺杂薄膜中载流子浓度没有大幅度减少。EPR和Raman测试结果证实了较高温度退火后的共掺杂薄膜的晶格结构比单掺杂薄膜的更完整,从而有利于提高载流子迁移率,降低电阻率。
关键词:
金刚石薄膜
,
co-doping
,
n-type
,
resistivity
吴健春
,
李礼
,
陈新红
,
任亚平
钢铁
doi:10.7513/j.issn.1004-7638.2014.04.004
分别以锌盐系钛白砂磨后浆料和铝盐系钛白砂磨后浆料为原料,考察了偏铝酸钠-硫酸并流包膜工艺、偏铝酸钠-硫酸铝并流工艺和偏铝酸钠-硫酸铝串流包覆工艺对钛白颜料性能的影响.试验结果表明:三种氧化铝包膜工艺对产品的Jasn(亮度)、消色力、白度等颜料性能影响不大.相比偏铝酸钠-硫酸并流包膜工艺,采用偏铝酸钠-硫酸铝串流工艺产生的副产物少,相同洗涤条件下可得到电阻率高、吸油量较低的钛白产品,在工业生产应用中具有明显效果.
关键词:
二氧化钛
,
分散剂
,
表面处理
,
电阻率
,
吸油量
梁巍
,
王林军
,
张继军
,
秦凯丰
,
赖建明
,
吴文其
人工晶体学报
采用移动加热器法生长铟惨杂浓度为5×1017 atoms/cm3的Cd0.9Mn0.1Te (CMT)和Cd0.9Zn0.1Te (CZT)单晶.生长得到的CMT晶体和CZT晶体电阻率范围为4.5×109 ～ 6.2×1010 Ω·cm.CMT晶体的成分均匀性要优于CZT晶体,拟合得到CMT和CZT晶体中Mn和Zn的分凝系数分别为0.95和1.23.富Te区在两种晶体生长过程中都具有显著的提纯作用,In惨杂的浓度范围均在6.4 ～ 14.4 ppm范围内.红外透射显微镜观察到三角形和六边形为主的Te夹杂的尺寸5 ～24 μm,浓度为105 cm-3.除最后结晶区之外,沿晶体生长方向Te夹杂的尺寸逐渐减小而浓度逐渐增大.制备的CMT和CZT探测器对59.5 keV241Am放射源均有能谱响应,能量分辨率分别为23.2％和24.6％.
关键词:
碲锰镉
,
碲锌镉
,
移动加热器法
,
电阻率
马玉泉
,
刘荣昌
,
张丽红
材料热处理学报
对铸态Cu-38.13Zn-0.21Al合金进行l～5 GPa,720℃保温20 min的高温高压处理,采用热常数测试仪和赛贝克电阻率测试仪测试了高温高压处理前后Cu-38.13Zn-0.21Al合金的热扩散系数及电阻率,用光学显微镜和透射电子显微镜对其微观组织进行观察,并根据实验结果探讨了高温高压处理对Cu-38.13Zn-0.21Al合金热扩散系数及电阻率的影响.结果表明:高温高压处理能细化合金组织及增大组织内位错密度,使其热扩散系数降低和电阻率升高,在l ～5 GPa范围内,压力为3 GPa时,热扩散系数达到最低值,为0.3024 cm2·s-1,较铸态样品的值降低了14.79％,而电阻率达到最高值,为7.657×10-8 Ω·m-1,较铸态样品的值增大了7.48％.
关键词:
铸态Cu-38.13Zn-0.21Al合金
,
高温高压处理
,
热扩散系数
,
电阻率
杨昆
,
杨祥龙
,
陈秀芳
,
崔潆心
,
彭燕
,
胡小波
,
徐现刚
人工晶体学报
使用物理气相传输方法(PVT)制备了2英寸Ti掺杂与非故意掺杂6H-SiC衬底,并对衬底进行热处理.使用拉曼光谱仪、低温光致发光谱(LTPL)和非接触电阻率测试对衬底晶型、掺杂元素和电阻率进行了表征.结果表明,Ti元素有效掺入6H-SiC中,Ti掺杂对PVT方法生长的6H-SiC衬底晶型稳定性无影响,Ti掺杂衬底与非故意掺杂衬底均为6H-SiC,热处理后Ti掺杂衬底电阻率达到1010～1011Ω·cm.初步认为Ti掺杂衬底热处理过程中产生的大浓度碳空位Vc是引起Ti掺杂样品电阻率上升的主要原因.
关键词:
物理气相传输
,
Ti掺杂
,
6H-SiC
,
电阻率
