季振国
,
王君杰
,
毛启楠
,
席俊华
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00323
电阻式存储器由于具有众多的优点有望成为最有前景的下一代高速非挥发性存储器的选择之一. 实验利用射频磁控溅射法在重掺硅上沉积了Bi2O3薄膜, 并对该薄膜的结晶状态和Au/Bi2O3/n+Si/Al结构的电阻开关特性进行了研究. XRD分析结果表明, 射频磁控溅射法沉积所得的Bi2O3薄膜结晶性能好, (201)取向明显. I-V曲线测试结果表明, Au/Bi2O3/n+Si/Al结构具有单极性电阻开关特性. 通过对不同厚度Bi2O3薄膜的Au/Bi2O3/n+Si/Al结构I-V特性比较发现, 随着薄膜厚度的增加, 电阻开关的Forming、Set和Reset阈值电压均随之增加. 对于Bi2O3薄膜厚度为31.2 nm的Au/Bi2O3/n+Si/Al结构, 其Forming、Set和Reset阈值电压均低于4 V, 符合存储器低电压工作的要求.
关键词:
Bi2O3薄膜
,
resistive switching
,
thickness dependence
张涛
,
徐智谋
,
武兴会
,
刘斌昺
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140037
室温下采用紫外固化的方法取代溶胶-凝胶方法中的高温退火制备了氧化锌薄膜,XRD分析结果表明薄膜为非晶的,XPS分析结果表明薄膜的主要成分是ZnO.在深紫外固化后的薄膜表面溅射Al作为顶电极获得Al/a-ZnO/FTO结构的器件,研究深紫外照射时间对器件电阻转变性能的影响,进一步解释了深紫外固化的机制.研究表明:经过充足时间(12 h)照射的器件表现出双极性电阻开关特性,阈值电压分布集中(-3.7 V＜Vet＜-2.9 V,3.4 V＜Vreset＜4.3 V)且符合低电压工作的要求,至少在4000 s内器件的高低阻态都没有发生明显的退化,表现出了良好的存储器特性.Al/a-ZnO/FTO器件的这种电阻转变特性可以用空间电荷限制电流传导机制解释.
关键词:
深紫外固化
,
电阻开关
,
非晶态氧化锌薄膜
