武德起
,
赵红生
,
姚金城
,
张东炎
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常爱民
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00865
传统的栅介质材料SiO2不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求, 因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究, 进展迅速. 本文综述了国内外对高介电材料的研究成果, 并结合作者的工作介绍了高介电栅介质在晶化温度、低介电界面层、介电击穿和金属栅电极等方面的最新研究进展.
关键词:
高介电栅介质
,
recrystallization temperature
,
lowK interface layer
,
metal gate
郭瑞鹏
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崔岩
,
贵永亮
钢铁
doi:10.7513/j.issn.1004-7638.2014.04.024
对不同冷变形量的低碳冷轧板,在不同温度下进行模拟罩式退火试验,研究了冷变形量对组织和再结晶温度的影响.分析比较发现,随冷变形量提高,加工硬化效果增强,位错密度增加;在650℃×4 h退火后,随着冷变形量的增大,再结晶晶粒更加细小且均匀.通过推导得到了再结晶驱动力与冷变形量的关系式,并计算出不同冷变形量的再结晶驱动力.结果表明,当冷变形量从52％增加到80％后,由位错密度产生的再结晶驱动力提高1.4×104 J/m2;其再结晶开始温度和完成温度均降低20～40℃.
关键词:
低碳冷轧板
,
冷变形量
,
再结晶温度
,
晶粒大小
何欢承
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王快社
,
胡平
,
康轩齐
,
王鹏洲
,
刘仁智
稀有金属材料与工程
采用粉末冶金和轧制工艺分别制备TZM合金和掺杂稀土元素镧的La-TZM合金板材,通过对其在1000、1100、1200、1300、1400、1500、1600℃退火后样品的金相组织、力学性能进行分析与对比,研究掺杂稀土元素镧对TZM合金再结晶温度的影响.研究表明,TZM合金的开始再结晶温度为1200℃左右,La-TZM合金的开始再结晶温度约为1300℃.La2O3在TZM合金的晶界处形成细小的第二相,阻碍了晶界的迁移,提高了TZM合金板材的再结晶温度.
关键词:
TZM合金
,
稀土元素镧掺杂
,
再结晶温度
