彭芳
,
李效民
,
高相东
,
于伟东
,
邱继军
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00354
采用阴极恒电流沉积方法, 以Zn(NO 3)2水溶液为电沉积液, 在经电化学预处理后的ITO导电玻璃上生长了具有c轴高度择优取向、均匀致密的透明ZnO薄膜. 采用X射线衍射、扫描电镜和光学透过谱等技术, 对不同沉积时间条件下薄膜的结晶特性、表面和断面结构、光学性质等进行了研究. 结果表明, 沉积时间对ZnO薄膜质量影响明显: 在薄膜生长后期(120min), ZnO薄膜的结晶性和表面平整度明显降低, 晶粒尺寸增大, 可见光透过率下降, 表明高质量ZnO薄膜的电化学沉积有一最佳生长时间; 此外, 薄膜厚度随时间呈线性变化, 表明可通过生长时间实现对ZnO薄膜厚度的精确控制.
关键词:
ZnO薄膜
,
electro-deposition
,
pretreatment
,
microstructure
苏祖武
,
姚泽坤
,
郭鸿镇
,
刘建超
,
刘建宇
,
崔健
,
刘果青
,
姜明
,
应志毅
金属学报
通过毛坯预处理和可控应变等温模锻的方法，试制成盘中心部位具有高强度、高塑性、高低周疲劳性能（α＋β等轴组织）而盘边缘部位具有高的高温蠕变抗力和断裂韧性，同时又有一定塑性（网篮状组织）的双重组织、双重性能的整体压气机盘．经组织检验及性能测试结果证明，运用该工艺制出的整体压气机盘性能优于组合式盘，且质量可靠、工艺简单．
关键词:
ＴＣ１１钛合金
,
dual property disk
,
isothermal forging
,
pretreatment
孙臣张伟严川伟
腐蚀学报（英文）
主要研究了酸洗和超声波清洗前处理工艺对化学镀镍结合力的影响.扫描电镜(SEM)结果表明：随着硝酸浓度的增加，烧结钕铁硼酸洗后表面越来越粗糙.其中，硝酸(65％)浓度为20~40 ml/L时，酸洗不能完全去除烧结钕铁硼表面的氧化膜；硝酸(65％)浓度为80~100 ml/L时，不仅将钕铁硼表面的氧化物和富钕相腐蚀掉，而且腐蚀钕铁硼内部的富钕相，使钕铁硼表面粉化.酸洗后，烧结钕铁硼表面粘有大量脱落的主相的晶粒，使用超声波可以有效地去除这些晶粒，消除钕铁硼和镀层之间的夹层.万能实验拉伸机实验结果表明：当硝酸(65％)浓度为60 ml/L，酸洗时间40 s，并结合超声波清洗时，得到了化学镀镍层结合力最好，结合力大于28 MPa.
关键词:
钕铁硼
,
electroless Ni-P
,
pretreatment
,
adhesion strength
刘颖
,
朱国瑞
,
刘丽艳
,
苏艳霞
,
谭蔚
硅酸盐通报
对高铝粉煤灰生产氧化铝联产硅钙渣进行物性分析的基础上,研究了过滤压力及颗粒粒径对滤饼含水率的影响.分析了季铵盐类表面活性剂FL02对硅钙渣滤饼含水率的影响并用红外光谱进行表征,分析作用机理.结果表明,硅钙渣为中等可压缩性物料;过滤压力取0.3 MPa时,硅钙渣滤饼含水率由49.73％降到44.56％;颗粒粒径为0.075～0.125 mm时,硅钙渣滤饼含水率最低为41％;加入季铵盐类表面活性剂FL02使滤饼含水率降低,最适宜添加量为0.75％(相对干固相的质量分数),硅钙渣滤饼含水率从44.71％降到39％,由红外光谱看出季铵盐类表面活性剂FL02的亲水基与硅钙渣表面羟基键合形成氢键,致使表面自由羟基数量减少.
关键词:
硅钙渣
,
过滤压力
,
粒径
,
含水率
,
预处理
董海刚
,
范兴祥
,
行卫东
,
吴跃东
,
赵家春
,
付光强
稀有金属
doi:10.13373/j.cnki.cjrm.2014.05.020
研究了预处理对硫酸常压浸出废旧高温合金中镍钴的影响规律,重点分析讨论了浸出过程中预处理方式、球磨时间、浸出时间对镍钴浸出率的影响.结果表明:与未预处理比较,在相同浸出条件下,粒度为180 ～380 μm的废旧高温合金经过预处理,用滚筒球磨30 min,并采用电子扫描显微镜(SEM)对预处理前后的物料进行表征,经过预处理的废旧高温合金,其粒度变细,比表面积增大,表面能提高,镍钴浸出率分别提高8.48％,7.82％;行星球磨预处理的镍钴浸出率较滚筒球磨低;在0～3h浸出时间内,浸出时间对镍钴浸出率影响显著.浸出3h后,浸出时间对浸出率没有明显影响.
关键词:
废旧高温合金
,
酸浸
,
镍
,
钴
,
预处理
赵娟
,
宋丽岑
,
王瑞雨
,
高原
,
刘惠涛
硅酸盐通报
本文采用ICP-AES测定了去离子水洗涤,酸洗和碱洗等SiC粉体预处理过程中金属离子的含量,研究了杂质离子对SiC浆料流变性能的影响.XRD和TEM测试表明:SiC粉体在低浓度酸碱洗涤过程中,晶型和形貌几乎没有发生变化.由ICP-AES定量分析结果可知,随着SiC粉体表面杂质离子的减少,浆料的粘度不断降低,稳定性升高.低浓度HCl溶液去除SiC粉体表面杂质离子的效果最佳,浆料流变性能得到了显著改善.
关键词:
碳化硅
,
ICP-AES
,
预处理
,
流变性能
