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AlSb多晶薄膜材料的性能研究

宋慧瑾 , 贺剑雄 , 武莉莉 , 郑家贵 , 冯良桓 , 雷智

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00517

采用共蒸法制备了新型AlSb多晶薄膜. 通过XRF、XRD、Hall测试及电导率温度关系等研究了AlSb多晶薄膜的组分、结构及性能. 分析表明，刚沉积的AlSb薄膜为非晶相，在540℃以上退火转变为AlSb相，转变的程度取决于退火的温度及Al、Sb的原子配比，其中N_Al∶N_Sb为47.2∶52.8，580℃退火后的薄膜多晶转变最为明显，结晶度较高；测试结果表明，退火后的AlSb薄膜为p型间接带隙半导体，载流子浓度为10¹⁹cm^-1，吸收系数为10⁴，而且在升降温阶段电导率发生不可逆变化. 这种薄膜用于TCO/CdS/AlSb结构的太阳电池器件中已经得到200mV左右的开路电压.

关键词: AlSb , anneal , polycrystalline thin film , co-evaporation