赵研
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左敦稳
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孙玉利
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王珉
人工晶体学报
在分析了单晶锗片低温抛光工艺的基础上,进行了四种不同参数的单晶锗片低温抛光实验.分析了不同温度条件下,单晶锗片去除速率的变化原因,提出了基于醚类辅助抛光液的自锐型低温抛光工艺,为冰冻固结磨料抛光单晶锗片的研究开辟了新途径.结果表明:环境温度对冰冻固结磨料抛光盘表层融化速率影响显著,10℃时即会导致融化过快;抛光区域摩擦产生的热量小于环境温度-10℃时的对流换热,会导致冰盘表面二次凝固;环境温度-10℃时加入醚类辅助抛光液可实现冰盘在低温下的自锐性.
关键词:
单晶锗片
,
抛光
,
材料去除率
,
自锐性
周新木
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阮桑桑
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彭欢
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李静
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李永绣
稀有金属
doi:10.13373/j.cnki.cjrm.2014.06.011
采用溶剂热法合成了粒径为200 nm左右的类球形CeO2前驱体,在一定温度下煅烧得到抛光粉,采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、电子衍射、激光粒度分析仪等对其进行了表征和观察;同时考察了溶剂热温度、分散剂种类和用量等因素对合成类球形CeO2前驱体的影响,以及不同煅烧温度和煅烧时间对单晶硅片抛光性能的影响.结果表明:以氯化铈为铈源,以0.75 mol·L-1 NH3·H2O为沉淀剂,乙二醇为溶剂,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为分散剂,搅拌30 min后得到浑浊液转移至50 ml内衬聚四氟乙烯(PTFE)反应罐中,在烘箱中于180℃反应24 h,沉淀分别用去离子水,无水乙醇各洗3次,放于60℃烘箱中烘干,得到氧化铈前驱体,经500℃煅烧2h为D50=203 nm的类球形CeO2粉体,粉体分散性好,配成质量分数为0.2％的抛光浆料对n(111)型单晶硅片抛光,得到较高抛光速率和超平整的抛光表面.
关键词:
氧化铈
,
类球形
,
合成
,
抛光
