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碳化硅陶瓷密封材料上沉积复合金刚石薄膜

张玮 , 满卫东 , 林晓棋 , 吕继磊 , 阳硕 , 赵彦君

人工晶体学报

利用直流辉光等离子体化学气相沉积(DC-GD CVD)设备在碳化硅(SiC)密封材料上沉积复合金刚石薄膜(ICD).实验通过两步工艺,先在SiC上沉积一层微米金刚石薄膜(MCD),然后再沉积一层纳米金刚石薄膜(NCD)形成复合金刚石薄膜(ICD).通过场发射扫面电镜和拉曼测试,研究了MCD、NCD和ICD薄膜的表面形貌和材料结构.各种金刚石薄膜利用轮廓仪、划痕测试和摩擦磨损测试其力学性能.结果显示ICD薄膜既有较强的结合力,其摩擦系数也较低.ICD薄膜涂层的SiC密封环的摩擦系数为0.08 ~0.1.

关键词: 碳化硅 , 金刚石薄膜 , 等离子体化学气相沉积 , 摩擦系数

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