郭益平
,
罗豪甦
,
潘晓明
,
徐海清
,
殷之文
无机材料学报
测试了采用熔体法通过使用异质同构的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3籽晶生长出的Pb(In1/2Nb1/2)O3-PbTiO3单晶的铁电、压电性能的温度稳定性,研究结果发现,<001>取向的PIN—PT单晶不但具有非常优越的铁电、压电性能,其室温电容率ε达5000左右,介电损耗因子tgδ-1%,k33值最大可达到95%,d33值最大可达到3000pC/N左右.而且具有很高的温度稳定性,即使测试温度超过150℃,k33值也只下降不到10%.研究结果表明,该晶体是继PMN-PT和PZN—PT单晶之后又一种非常具有发展前途的单晶.
关键词:
PIN-PT单晶
,
dielectric
,
piezoelectricity
,
temperature stability
郭益平
,
罗豪甦
,
曹虎
,
徐海清
,
殷之文
无机材料学报
测试了PMNT68/32{110}cub切型单晶的介电、压电性能和电滞回线,发现单晶铁电性能与所施加的极化电场及单晶中PbTiO3含量的变化密切相关.研究结果表明,相结构的变化是引起铁电性能变化的主要原因,即在<110>取向施加电场诱导出来的正交相是本征亚稳的,它的稳定性不仅取决于所施加的极化电场大小,而且与单晶中PbTiO3含量的变化密切相关.
关键词:
PMNT单晶
,
phase transition
,
piezoelectricity
,
dielectrics
曾一明
,
郑燕青
,
忻隽
,
孔海宽
,
陈辉
,
涂小牛
,
施尔畏
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00180
Si3N4是一种具有多种优越物化性能的多功能材料. 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算对Si3N4的高低温相(β、α)进行了对比研究. 对于α相, 计算得晶格常数 a =0.7678nm、 c =0.5566nm, 弹性刚度系数 c 11 = 4.232×1011N/m2、 c 33 =4.615×1011N/m2,压电应变常量 d 33 =0.402pC/N;而对于β相, a =0.7536nm、 c =0.2874nm,弹性刚度系数 c 11 =4.241×1011N/m2、 c 33 =5.599×1011N/m2,压电应变常量则几乎为零. 分析表明Si3N4的α、β两相均为高硬高强材料, 这与其结构由四面体组成的网络架构有关. 而Si3N4高低温相的压电性能都很差, 特别是β相的压电系数几乎为零, 这与其结构的对称性有关, 高温相结构的对称性更高, 形变引起的离子位移响应抵消更多.
关键词:
Si3N4
,
piezoelectricity
,
first-principles
,
crystal structure
王伟
,
唐佳伟
,
陈小兵
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13422
采用脉冲激光沉积法制备了四个组分的高温压电薄膜xBiInO3-(1-x)PbTiO3(xBI-PT).X射线衍射谱显示,四个样品均呈(001)取向的单相钙钛矿结构特征.随着x的增大,xBI-PT样品中(111)相对取向率逐步增加.0.20BI-PT样品相对于0.15BI-PT样品,其剩余极化(Pr)略有增加的同时,矫顽场(Ec)也增大;0.25BI-PT的Pr相对于0.15BI-PT略有减小.在~700 kV/cm外场下,0.15BI-PT的Pr和Ec分别为~24 μC/cm2和~93 kV/cm; 0.20BI-PT的Pr和Ec分别为~28 μC/cm2和~125 kV/cm.随着x的增加,样品的居里温度(Tc)逐渐升高,样品0.25BI-PT的Tc高达621℃.0.15BI-PT样品中外在因素对介电非线性的贡献要大于0.20BI-PT和0.25BI-PT样品.这与材料中晶粒的(111)相对取向率有关.
关键词:
薄膜
,
铁电性能
,
压电性能
,
居里温度
,
介电非线性