程学瑞1
,
戚泽明2
,
3
,
张国斌2
,
3
,
李亭亭2
,
3
,
贺博2
,
3
,
尹民1
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00468
采用脉冲激光沉积方法（PLD）在Si (100)衬底上生长了HfO2栅介质薄膜. 利用X射线衍射（XRD）和扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)对其结构进行了表征, 利用远红外光谱对其声子振动模式和介电性质进行了研究. 结果表明, 室温下制备薄膜为非晶, 衬底温度400℃时已经...
关键词:
HfO2薄膜
,
high dielectric gate
,
pulsed laser deposition
,
phonon
