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激光诱导击穿光谱测量重掺硅中的氧含量

季振国 , 席俊华 , 毛启楠

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.10074

利用一台高能脉冲激光器和一个光纤耦合的CCD光谱仪构建了激光诱导击穿光谱仪(LIBS), 并用它测量了重掺硅片中的氧含量. 硅中的氧含量通过LIBS谱中的OI(777nm)谱线和SiI(288nm)谱线的强度比值OI/SiI获得. 为了确定氧含量的绝对值, 选定了4个轻掺杂的硅样品, 分别利用业界通用的傅利叶变换红外吸收光谱(FTIR)和LIBS对其中的氧含量进行了测量, 由此得出了利用LIBS确定硅中氧含量的定标曲线, 并根据该定标曲线成功地测出了几个重掺硅片中的氧含量.

关键词: 激光诱导击穿光谱 , oxygen concentration

模铸注流的氩气保护试验研究

龚志军,宋薇,麻永林

钢铁研究学报

本试验针对模铸注流氩气保护试验模型,运用PIV技术精确测量氩气保护过程中,注流周围空间的气体流场,同时采用烟气分析仪测量了注流周围空间的氧浓度分布,并进一步分析中注管距水口高度和气流倾角对注流保护的影响,发现减小中注管距水口高度以及采用0°和90°同时通气的氩气气流保护,可达到较好的注流保护效果。

关键词: 模铸 , argon protection , particle image velocimetry (PIV) , speed field , oxygen concentration

氩气流速对400 mm大直径磁场直拉单晶硅固液界面、热应力及氧含量的影响

李进 , 张洪岩 , 高忙忙 , 周锐 , 薛子文 , 梁森 , 李国龙 , 李海波 , 何力军

人工晶体学报

大直径化是太阳能光伏用单晶硅发展的趋势之一.由于炉体结构的增大,炉内气体流场的变化对晶硅生长过程产生了一定的影响.本文采用CGSim晶体生长软件,系统分析了氩气进口流速对固液界面,热应力和晶体氧含量的影响.结果表明,随氩气流速的增加,固液界面高度逐渐下降,当氩气流速为中等范围时,固液界面波动最低,有利于提高拉晶过程的稳定性;另一方面,三相交界处热应力最大值随氩气流速的增加而降低,固液界面热应力波动幅度随氩气流速的增加而增加,综合两方面考虑,确定采用中等氩气流速(0.9~1.5 m·s-1)工艺可有效避免断晶等缺陷的发生.同时,在中等氩气流速范围内,晶体中心处的氧含量下降至6.55×1017 atm/cm3(氩气流速为1.5m·s-1时),与低氩气流速时相比,氧含量降低了18%.

关键词: 单晶硅 , 氩气流场 , 固液界面 , 氧含量

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