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梅志 , 顾明元 , 吴人洁
金属学报
用X射线衍射仪和透射电子显微镜研究了氧化态SiC颗粒表面SiO2氧化层与铝基体复合前后的结构.试验结果表明,1111℃下SiC颗粒表面生成的SiO2层为晶态,与铝基体复合后在电子束的辐照下将转变为非晶态对SiO2层的非晶转变机制作了初步的探讨。
关键词: 碳化硅 , oxidized layer , amorphization