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直接氮化法制备纳米晶TiN薄膜

姜洪波 , 高濂 , 李景国

无机材料学报

首先采用溶胶-凝胶法在Al₂O₃基体上制备了TiO₂纳米晶薄膜,然后在管式气氛炉中,用氨气作为还原剂,直接氮化制备TiO₂纳米晶薄膜;从而成功地在α-Al₂O₃陶瓷基片上制备了纳米晶TiN薄膜.利用XRD、XPS、FE-SEM等分析技术,研究了制备的纳米晶TiN薄膜的相组成及形貌.结果表明最佳工艺条件为:氮化温度为700℃,氮化时间为1h.

关键词: 直接氮化法 , nanocrystalline TiN film , Ti0₂ film