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Bi2Sr2CaCu2O8+δ薄膜的分子束外延法制备及结晶性

张炳森李茂林王晶晶孙本哲祁阳

金属学报

在BiO--(Sr+Ca)O--CuO相图上的Bi2Sr2CaCu2O8+δ(Bi--2212) 相附近选择不同成分, 用分子束外延法制备成薄膜, 利用XRD, EDS,SEM和AFM研究了成分、衬底温度和臭氧分压对Bi--2212相薄膜成相的影响, 分析了生长速率和错配度对Bi--2212相薄膜质量的影响. 结果表明, Bi--2212相薄膜单相生成的成分范围 (原子分数) 分别为Bi 26.3%---32.4%, (Sr+Ca)37.4%---46.5%, Cu 24.8%---32.6%; 当衬底温度为720℃且臭氧分压为1.3×10-3 Pa时, 在MgO(100) 衬底上生长出质量较高的c轴外延Bi--2212相薄膜; 通过调整生长速率、更换衬底和插入不同厚度的Bi2Sr2CuO6+δ过渡层的方法, 可以改善Bi--2212相薄膜的结晶质量、表面形貌和导电特性.

关键词: Bi2Sr2CaCu2O8+δ薄膜 , molecular beam epitaxy , substrate temperature , ozone partial pressure , growth rate , mismatch

GaSb/GaAs异质结热光伏电池材料的MBE生长

郝瑞亭 , 郭杰 , 刘颖 , 缪彦美 , 徐应强

人工晶体学报

利用分子束外延方法(MBE)在GaAs (001)衬底上外延生长了GaSb薄膜,并对GaSb薄膜进行了高温退火研究,利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、原子力显微镜(AFM)、Hall效应(Hall Effect)和低温光荧光谱(LTPL)等手段对薄膜的晶体质量、电学性质和光学性质进行了研究.发现直接生长的GaSb膜表面平整,空穴迁移率较高.研究发现30 s、650℃的快速热退火可消除位错等缺陷,显著提高GaSb薄膜的光学质量.

关键词: GaSb , 热光伏电池 , 分子束外延(MBE)

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