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烧结温度对PMS-PZT系陶瓷显微结构和压电性能的研究

朱志刚 , 李宝山 , 李国荣 , 张望重 , 殷庆瑞

无机材料学报

研究了不同烧结温度对Pb(Mn1/3Sb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3(PMS-PZT)系压电陶瓷显微结构和压电性能的影响.实验结果表明:在1240℃、2h条件下烧结,能获得最优的综合性能:εr=1530、d33=374、Kp=0.6、tanδ=0.41%、Qm=1250,可以满足压电变压器和超声马达等大功率场合下的使用要求.与此同时,当烧结温度为1100-1150℃时,材料仍然具有良好的压电性能:εr=1370、d33=348、Kp=0.57、tanδ=0.62%、Qm=1620(1150℃),因此可以作为中低温烧结的多层器件用厚膜材料.高温显微镜、SEM、TEM和EDS等研究表明,PMS-PZT系陶瓷具有很宽的烧结温度区域,特别是中低温烧结时仍能成瓷并具有高的压电性能,主要是因为PbO和Sb2O5在较低烧结温度下(1100℃)能够形成过渡液相促进陶瓷烧结,随着烧结温度的升高,它们能够重新进入晶格形成单一钙钛矿结构.

关键词: 锑锰锫钛酸铅 , piezoelectric , sintering temperature , liquid phase

RB-SiC/MoSi_2复合材料的界面特征

胡冬昉 , 黄汉铨 , 黄建宇 , 夏非

金属学报

采用(Si+Mo)合金浸渗反应烧结SiC,以难熔MoSi_2作为第二相取代RB-SiC中的游离Si,从而获得RB-SiC/MoSi_2复合材料.实验结果表明,MoSi_2均匀、连续地分布于SiC颗粒界面处,形成连续网络.界面是由t-MoSi_2和β-SiC两相交错重叠所构成.界面层处未观察到反应层和非晶态物质,过渡层厚约5nm.

关键词: SiC , MoSi_2 , infiltration , sintering , liquid phase

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