王超营孟庆元王云涛
金属学报
利用基于Stillinger--Weber(SW)势函数的分子动力学方法分析了Si中30o部分位错和单空位(V1)的相互作用. 不同温度、剪应力作用下的计算结果表明, 在
温度恒定条件下, 剪应力较小时, V1对位错有钉扎作用; 当施加的剪应力达到临界剪应力时, 位错脱离V1的钉扎继续运动, 并且将V1遗留在晶体中; 随温度的
升高, 临界剪应力近似线性下降. 通过不含V1和含有V1的模型中位错芯位置的对比后发现, V1对滑过它的30o部分位错有明显的加速作用.
关键词:
Si
,
30o partial dislocation
,
monovacancy
,
molecular dynamics
,
kink
