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退火温度对Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/p-Si异质结微观结构与性能的影响

任明放 , 王华

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00700

采用sol-gel工艺制备了Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/p-Si异质结. 研究了退火温度对异质结微观结构与生长行为、漏电流密度和C-V特性等的影响. 研究表明: 成膜温度较低时,SrBi2Ta2O9、Bi4Ti3O12均为多晶薄膜, 但随退火温度升高, Bi4Ti3O12薄膜沿c轴择优生长的趋势增强; 经不同退火温度处理的Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/p-Si异质结的C-V曲线均呈现顺时针非对称回滞特性, 且回滞窗口随退火温度升高而增大, 经700℃退火处理后异质结的最大回滞窗口达0.78V; 在550~700℃范围内, Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/\\p-Si异质结的漏电流密度先是随退火温度升高缓慢下降, 当退火温度超过650℃后漏电流密度明显增大, 经650℃退火处理的异质结的漏电流密度可达2.54×10-7A/cm2的最低值.

关键词: 退火温度 , SrBi2Ta2O9 , Bi4Ti3O12 , heterostructure

氮掺杂SrTiO3/TiO2纳米管阵列的可见光催化性能研究

黄梦 , 付继江 , 张成铖 , 潘志国 , 李泳 , 陶靖元

稀有金属材料与工程

利用N掺杂和构建异质结结构改善TiO2基光催化剂的可见光催化性能.通过水热反应法在氢氧化锶溶液中将阳极氧化TiO2纳米管阵列转化为SrTiO3/TiO2复合纳米管阵列结构,并随后在NH3中退火对SrTiO3/TiO2进行N掺杂.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)仪、紫外可见吸收(UV-vis)和X射线光电子能谱(XPS)分析了样品的形貌、结构、成分、光谱吸收范围和元素组成.样品的可见光催化降解实验表明,N-SrTiO3/TiO2表现出最佳的可见光催化活性.

关键词: 纳米管 , 异质结 , 氮掺杂 , 可见光催化

Bi4Ti3O12/TiO2异质结的制备及其光催化性能

陈侃松 , 黎旸 , 田寒 , 顾豪爽

材料研究学报

用静电纺丝和水热法制备了Bi4Ti3O12/TiO2异质结,用x射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)对Bi4Ti3O12/TiO2异质结和TiO2纳米棒的形貌及晶体结构进行了表征和分析.其紫外可见漫反射光谱(UV-visDRS)表明,相比于纯TiO2纳米棒,Bi4Ti3O12/TiO2异质结的吸收带边有明显的红移,禁带宽度也有减小,说明Bi4Ti3O12/TiO2异质结的形成有利于提高样品对可见光的吸收.从光致发光图谱(PL)可见,Bi4Ti3O12/TiO2异质结在440nm的发射峰强度明显减弱,说明Bi4Ti3O12/TiO2之间的异质结结构有效抑制了光生电子和空穴的复合.对甲基橙的紫外光催化降解结果表明,这种异质结在紫外光辐射下表现出更高的光催化活性,随着异质结浓度的增加其光催化性能明显提高.

关键词: 无机非金属材料 , 异质结 , Bi4Ti3O12 , 静电纺丝 , TiO2 , 光催化

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