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纳米Cu₂O/TiO₂ 异质结薄膜电极的制备和表征

唐一文 , 陈志钢 , 张丽莎 , 贾志勇 , 张新

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00453

通过阴极还原在纳米TiO₂膜上电沉积Cu₂O, 获得了p-Cu₂O/n- TiO₂异质结电极. 研究了沉积温度对Cu₂O膜厚、纯度和形貌的影响, 制备出纯度较高、粒径为40～50nm的Cu₂O薄膜. 纳米Cu₂O膜在200℃烧结后透光性最好, 禁带宽度为2.06eV. 光电化学测试表明纳米p-Cu₂O/n-TiO₂异质结电极呈现较强的n-型光电流响应并且能够提高光电转换效率.

关键词: 氧化亚铜薄膜 , heterojunction electrode , photoelectrochemistry , null