张炳森李茂林王晶晶孙本哲祁阳
金属学报
在BiO--(Sr+Ca)O--CuO相图上的Bi2Sr2CaCu2O8+δ(Bi--2212) 相附近选择不同成分, 用分子束外延法制备成薄膜, 利用XRD, EDS,SEM和AFM研究了成分、衬底温度和臭氧分压对Bi--2212相薄膜成相的影响, 分析了生长速率和错配度对Bi--2212相薄膜质量的影响. 结果表明, Bi--2212相薄膜单相生成的成分范围 (原子分数) 分别为Bi 26.3%---32.4%, (Sr+Ca)37.4%---46.5%, Cu 24.8%---32.6%; 当衬底温度为720℃且臭氧分压为1.3×10-3 Pa时, 在MgO(100) 衬底上生长出质量较高的c轴外延Bi--2212相薄膜; 通过调整生长速率、更换衬底和插入不同厚度的Bi2Sr2CuO6+δ过渡层的方法, 可以改善Bi--2212相薄膜的结晶质量、表面形貌和导电特性.
关键词:
Bi2Sr2CaCu2O8+δ薄膜
,
molecular beam epitaxy
,
substrate temperature
,
ozone partial pressure
,
growth rate
,
mismatch
汪鹰
,
史苑芗
,
魏宝明
,
扬勇
,
陈旭光
,
储炜
,
林祖赓
腐蚀科学与防护技术
采用光电化学的方法研究了复合缓蚀剂对钢筋钝化膜的影响.结果表明复合缓蚀剂的加入没有改变钢筋钝化膜的晶体结构和电子性质,它仍然是无定形n型的半导体成相膜,但对抑制点蚀核的形成有明显作用,且对钝化膜的生长速度有加快作用,从而有可能使钝化膜的组成发生改变.
关键词:
光电化学
,
composite inhibitors
,
pitting nucleus
,
rebar passive film
,
growth rate
常国威金光灿陈淑英李青春岳旭东
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2010.00409
针对Fe-C合金包晶反应过程中, γ相沿L/δ界面侧向生长速度的实测值远远大于Bosze和Trivedi[2]模型的计算值的问题, 分析了包晶反应过程中固/液界面前沿溶质浓度分布状况, 得到了金属熔体中圆柱形固相生长时固/液界面前沿溶质浓度分布表达式. 以Jackson[9]$提出的熔体中粗糙界面生长速度公式为基础, 确定了适合计算合金包晶反应产物侧向生长速度的公式, 并将其应用于Fe-C和Fe-Ni合金的包晶反应过程, 计算结果表明, Fe-C和Fe-Ni合金的包晶反应产物γ相的侧向生长速度计算值与Shibata等[4]和Mcdonald等[5]在激光共聚焦扫描显微镜下观察Fe-C和Fe-Ni合金包晶反应时所测得的γ相沿L/δ界面侧向生长速度的实验值基本吻合
关键词:
包晶反应
,
solidification process
,
crystal growth
,
growth rate
黄太文刘林张卫国张军傅恒志
金属学报
采用液态金属冷却高温度梯度定向凝固设备, 研究了抽拉速率跃迁对单晶高温合金DD3一次枝晶间距和微观偏析的影响. 结果表明, 单晶高温合金枝晶一次间距表现出明显的历史相关性.当抽拉速率(或生长速率)分别从600和300 μm/s跃迁到100 μm/s和直接以100 μm/s速率生长时, 一次间距分别为56.5, 86和111.5 μm. 而生长速率分别从50和100 μm/s跃迁到300 μm/s和直接以300 μm/s速率生长获得的一次间距分别为109, 93和70 μm. 一次间距值与Hunt-Lu模型预测的基本吻合, 但实验结果证明其上限与下限的比值λ1max/λ1min>2, 与Ma-Sahm的预测结果一致. 成分分析表明, 相同稳态条件下枝晶的一次间距变小, 偏析也有所降低.
关键词:
单晶高温合金
,
growth rate
,
transition
,
primary dendrite arm spacing
,
microsegregation
刘学建
,
金承钰
,
张俊计
,
黄智勇
,
黄莉萍
无机材料学报
以三氯硅烷(TCS)和氨气分别作为低压化学气相沉积(LPCVD)氮化硅薄膜(SiNx)的硅源和氮源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中,借助椭圆偏振仪和原子力显微镜,系统考察了工作总压力、反应温度、气体原料组成等工艺因素对SiNx薄膜沉积速率和表面形貌的影响.结果表明:随着工作压力的增大,SiNx薄膜的沉积速率逐渐增加,并产生一个峰值.随着原料气中NH3/TCS流量比值的增大,SiNx薄膜的沉积速率逐渐增加,随后逐步稳定.随着反应温度的升高,沉积速率逐渐增加,在830℃附近达到最大,随着反应温度的进一步升高,由于反应物的热分解反应迅速加剧,使得SiNx薄膜的沉积速率急剧降低.在730-830℃的温度范围内,沉积SiNx薄膜的反应表观活化能约为171kJ/mol.在适当的工艺条件下,制备的SiNx薄膜均匀、平整.较低的薄膜沉积速率有助于提高薄膜的均匀性,降低薄膜的表面粗糙度.
关键词:
LPCVD
,
silicon nitride thin films
,
growth rate
,
surface morphology
刘熙
,
陈博源
,
陈之战
,
宋力昕
,
施尔畏
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00177
生长准备中不同的装料方式导致原料的空隙率不同. 在其它生长工艺参数保持一致的前提下研究了不同空隙率的原料（50%、55%、60%）对SiC晶体生长初期生长速率和结晶质量的影响. 实验发现，在晶体生长初期生长速率随原料空隙率的增大而升高, 过快的结晶速率导致晶体的结晶质量下降. 同时利用有限元方法模拟了不同空隙率的原料（50%、55%、60%）在生长初期内部温度场分布、质量输运以及晶体生长速度. 因为在生长温度下原料内的热量传输主要依靠SiC颗粒间的热辐射, 所以空隙率增大会导致其等效热导率增大. 模拟结果表明：60%空隙率的原料最短时间内达到稳态传热, 初期晶体生长速率最大. 模拟的结果合理地解释了原料空隙率对SiC晶体生长初期的影响规律.
关键词:
碳化硅
,
growth rate
,
finite element method
李金平
,
杨捷媛
,
王春龙
,
黄娟娟
,
杨文洁
工程热物理学报
为了研究气体水合物的快速生成方法,可视化实验研究了压力扰动对丙烷水合物生成过程的促进作用,结合丙烷水合物的生成驱动力计算,分析了静态条件下纯水中丙烷水合物层的厚度、生长速率、水合物生成驱动力等水合反应参数,结果表明:在压差为0.1 MPa的压力扰动下,原本停滞35 h的水合反应重新开始生成水合物,气液界面处水合物层厚度2h内以0.5 mm/h的速率呈线性增长,2h后生长速率显著减小,在压力扰动后的175 h内,系统平均生长速率达到0.04 mm/h.
关键词:
气体水合物
,
生成过程
,
压力扰动
,
生成驱动力
,
生长速率
李冠东
,
唐天威
,
邱傅杰
,
徐克西
低温物理学报
本文研究了Y211相粒径对YBCO单畴块材的生长及磁通俘获场性能的影响.能量色散谱(EDS)分析结果显示:YBCO熔体中的Y离子浓度随着Y211相粒径减小而增加.差示扫描量热法(DSC)热分析结果表明:YBCO熔体的起始结晶温度随着Y211相粒径减小而升高.前驱粉Y123/Y211中使用粒径细化的Y211相能使YBCO单畴块材的磁通俘获场明显增强.上述实验分析结果意味着使用细化的Y211粉体将有助于大尺寸、高性能单畴样品的制备.
关键词:
YBCO
,
结晶温度
,
生长速度
,
磁通俘获场
刘杰
,
黑立富
,
陈广超
,
李成明
,
宋建华
,
唐伟忠
,
吕反修
人工晶体学报
采用非循环直流喷射(直喷式)直流电弧等离子化学气相沉积法,在Ar/H2/CH4气氛下,成功制备了金刚石单晶外延层.试验采用的是3 mm×3 mm×1.2 mm的高温高压Ib型金刚石单晶衬底.研究了不同衬底温度和甲烷浓度对金刚石单晶外延层的形貌,速率和晶体质量的影响.采用光学显微镜,激光共聚焦表征了样品的形貌,利用千分尺测量其生长速率,利用Raman表征其晶体质量,采用OES诊断Ar/H2/CH4等离子气氛下C2、CH与Hβ的相对浓度.研究表明,温度和甲烷浓度对单晶刚石形貌和质量产生了明显的影响.在衬底为温度980℃,甲烷浓度在1.5％的条件下,生长速率达到了36 μm/h,并且晶体质量较好(半高宽仅为1.88 cm-1).同时发现生长参数对金刚石单晶外延层的生长模式有着显著地影响.
关键词:
金刚石单晶
,
外延层
,
衬底温度
,
甲烷浓度
,
生长速率
