秦玉香
,
胡明
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00515
采用电泳法在Si基底上沉积了碳纳米管(CNTs)薄膜, 并利用Ar微波等离子体对CNTs薄膜进行了改性处理, 研究了改性前后CNTs的微观结构和场发射性能. 高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和拉曼光谱的表征结果表明, 等离子体改性明显改变了CNTs的微观结构, 形成了大量的管壁结构缺陷、纳米级突起和“针形”尖端; 场发射测试结果表明, CNTs经Ar等离子体改性处理后开启电场较改性前?略有增大, 等离子体改性10min的CNTs薄膜表现出最佳的场发射J-E特性, 阈值电场由改性前的3.12V/μm降低到2.54V/μm, 当电场强度为3.3V/μm时, 场发射电流密度由改性前的18.4mA/cm2增大到60.7mA/cm2. 对Ar微波等离子体改性增强CNTs薄膜场发射性能的机理进行了分析.
关键词:
碳纳米管
,
electrophoretic deposition
,
plasma treatment
,
field emission
秦玉香
,
胡明
,
李海燕
,
张之圣
,
邹强
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00277
碳纳米管(CNTs)具有低的阈值电场和高的发射电流密度, 是一种性能优良的场发射阴极材料, 在平板显示领域具有潜在的应用价值. CNTs的场发射性能直接关系到CNTs场发射阴极在未来的实际应用. 本文从Fowler-Nordheims场发射理论出发, 阐述了CNTs的场发射机制; 详细论述了各种因素包括CNTs的定向性、层结构、几何特征、阵列密度、系统真空度以及CNTs与基底材料之间的键合等对CNTs场发射特性的影响; 介绍了CNTs场发射特性在平板显示领域中的实际应用.
关键词:
碳纳米管
,
field emission
,
Fowler-Nordheims model
,
flat panel display
柳堃，晁明举
,
李华洋
,
梁二军
,
袁斌
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00181
采用催化热解方法分别 制备出碳纳米管和镓掺杂碳纳米管, 并利用丝网印刷工艺将其制备成纳米管薄膜. 对此薄膜进行低场致电子发射测试表明, 碳纳米管和镓掺杂纳米管开启电场分别为2.22和1.0V/μm, 当外加电场为2.4V/μm, 碳纳米管发射电流密度为400μA/cm2, 镓掺杂纳米管发射电流密度为4000μA/cm2. 可见镓掺杂碳纳米管的场发射性能优于同样条件下未掺杂时的碳纳米管. 对镓掺杂纳米管场发射机理进行了探讨.
关键词:
碳纳米管
,
Ga-doped carbon nanotubes
,
field emission
李剑
,
王小平
,
王丽军
,
文俊伟
,
于颖
,
刘凌鸿
材料科学与工程学报
场电子发射是一种独特的量子隧穿效应,也是真空微电子学的基础之一.基于场发射技术的冷阴极发射体一直被视为未来理想的电子发射阴极.石墨烯是一种具备单层碳原子结构的新型碳材料,其电子迁移率高、机械强度高、热导率高,具有稳定的物理化学特性,因此受到科研工作者的广泛关注.与此同时石墨烯具有较高的长径比(横向尺寸与厚度的比值),这一结构特性能够获得较大的场增强因子.石墨烯的上述特性使得其成为具有广阔应用前景的场发射阴极.本文主要综述石墨烯场发射理论的研究进展、石墨烯/石墨烯基场发射阴极的研究现状、场发射阴极结构以及场发射阴极的制备方法,并对场发射领域的石墨烯研究进行了展望.
关键词:
石墨烯
,
场发射
,
复合阴极
王洁琼
,
杨森
,
曹子君
,
郑阿群
,
孙占波
,
宋晓平
稀有金属材料与工程
荧光粉的发光性能对其形貌非常敏感,特别是荧光粉的尺寸.场发射显示器所需的荧光粉应是微米级的球状,然而可控的微米级荧光粉受到很少的关注.因此,本实验通过改进的共沉淀法制备合成了几微米的近球型红色Y2O3:Eu3+荧光粉.该产品在1050℃,pH值为5.5时,形貌均匀,粒径分布为0.9～3.1 μm,且发光亮度较商用的增加50％以上.结果表明,通过改良的共沉淀法可以制备出一种高质量的FED荧光粉.
关键词:
发光材料
,
场发射
,
制备
