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MOD法制备的Bi_3.25Nd_0.75Ti₃O₁₂薄膜的铁电各向异性行为

马建华 , 孟祥建 , 孙璟兰 , 褚君浩

无机材料学报

采用金属有机分解法(MOD)在(111)Pt／Ti／SiO₂／Si衬底上制备了含(117)成分的 c轴择优取向和a轴择优取向的Bi_3.25Nd_0.75Ti₃O₁₂(BNT)薄膜.实验发现, BNT薄膜的晶 型结构主要依赖于预退火条件.电学性能测试表明,a轴择优取向的BNT薄膜具有高的剩余 极化和矫顽场,较高的介电常数和介电损耗,以及较大的电容调谐率;而c轴择优取向的则相 反. BNT薄膜具有同Bi₄Ti₃O₁₂(BIT)薄膜相似的铁电各向异性行为.

关键词: BNT薄膜 , crystallinity , ferroelectricity , anisotropy

MOD法制备的Pb_0.985La0.01(Zr_0.4Ti_0.6)O₃

马建华 , 孟祥建 , 孙兰璟 , 褚君浩

无机材料学报

采用金属有机分解法(MOD)在LNO(100)/Si衬底上制备了Pb_0.985La_0.01(Zr_0.4Ti_0.6)O₃(PLZT)铁电薄膜. 在薄膜的快速退火过程中, 增加了一个中间温度预退火过程, 并研究了该过
程对薄膜晶型结构和铁电性能的影响. 结果发现, 中间温度预退火过程可以影响薄膜对晶型结构的选择. 没有中间温度预退火过程的薄膜, 显示出(100)择优取向; 而经中间温度预退火的
薄膜则表现为随机取向. 对薄膜铁电性能的研究表明, 没有中间温度预退火过程的薄膜的铁电性能较差, 经380℃预退火的薄膜显示出最佳的铁电性能. 晶型结构取向和缺陷是影
响PLZT薄膜铁电性能的两个主要因素.

关键词: PLZT薄膜 , intermediate pre-annealing process , crystallinity , ferroelectricity

Bi₃NbTiO₉的结构与电学性能

章贞 , 晏海学 , 董显林 , 王永龄

无机材料学报

用传统固相法成功制备出了致密的、相对密度超过95％的Bi₃NbTiO₉(BNT)压电陶瓷;采用XRD和SEM对陶瓷的结构和晶粒形貌进行了表征;测出了BNT陶瓷在居里温度点附近的介电特性,同时确定了该陶瓷的居里温度T_c为914℃电滞回线的测试显示了该材料典型的硬铁电性,经过高温极化,测出材料的压电常数d₃₃=7pC/N.

关键词: Bi₃NbTiO₉ , ferroelectricity , dielectric properties , ceramics

高温压电薄膜xBiInO3-(1-x)PbTiO3的PLD制备和性能

王伟 , 唐佳伟 , 陈小兵

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13422

采用脉冲激光沉积法制备了四个组分的高温压电薄膜xBiInO3-(1-x)PbTiO3(xBI-PT).X射线衍射谱显示,四个样品均呈(001)取向的单相钙钛矿结构特征.随着x的增大,xBI-PT样品中(111)相对取向率逐步增加.0.20BI-PT样品相对于0.15BI-PT样品,其剩余极化(Pr)略有增加的同时,矫顽场(Ec)也增大;0.25BI-PT的Pr相对于0.15BI-PT略有减小.在～700 kV/cm外场下,0.15BI-PT的Pr和Ec分别为～24 μC/cm2和～93 kV/cm; 0.20BI-PT的Pr和Ec分别为～28 μC/cm2和～125 kV/cm.随着x的增加,样品的居里温度(Tc)逐渐升高,样品0.25BI-PT的Tc高达621℃.0.15BI-PT样品中外在因素对介电非线性的贡献要大于0.20BI-PT和0.25BI-PT样品.这与材料中晶粒的(111)相对取向率有关.

关键词: 薄膜 , 铁电性能 , 压电性能 , 居里温度 , 介电非线性

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