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掺P石墨烯结构和电子性质的第一性原理研究

唐斌 , 罗强 , 张强 , 伍振海 , 冉曾令

人工晶体学报

基于密度泛函理论第一性原理,在广义梯度近似下,本文研究本征石墨烯和掺杂不同浓度P的石墨烯结构和电子性质并发现本征石墨烯禁带宽度为零;对于P∶C掺杂比分别为1∶17、1∶7、1∶1的石墨烯,其P-C键长由0.142nm的C-C键分别增大为0.1629 nm、0.1625 nm、0.1751 nm,其对应带隙分别由零带隙变为0.28 eV、0.44 eV、1.21eV:费米能级逐渐下降.分析分波态密度后发现,在掺P石墨烯中主要为P原子的3p态电子影响其总态密度.

关键词: 第一性原理 , 石墨烯 , 电子性质 , 态密度

单空位缺陷扶手椅型MoS2纳米带结构与电子性质研究

林春丹 , 赵红伟 , 杨振清 , 邵长金

人工晶体学报

基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,研究了单硫空位缺陷扶手椅型二硫化钼纳米带(AMoS2NR)的结构与电子性质.结果表明,优化的AMoS2NR纳米带边缘上Mo原子较S原子向纳米带内侧收缩;引入空位缺陷后,边缘上Mo原子向纳米带内侧收缩加剧,稳定性降低;空位缺陷纳米带相比完整纳米带,带隙减小;同时,空位缺陷处原子部分态密度降低,相应的能带线分布稀疏.

关键词: 二硫化钼 , 空位缺陷 , 电子性质 , 密度泛函理论 , 第一性原理

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