颜畅
,
刘芳洋
,
赖延清
,
李轶
,
李劼
,
刘业翔
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01287
采用直流反应磁控溅射技术在玻璃基底上制备了太阳电池用CuInS2薄膜. 以X射线能量色散谱仪、扫描电镜、X射线衍射仪、冷热探针和霍尔效应测试系统对薄膜进行了表征. 结果表明, 薄膜成分可通过调整Cu靶和In靶的功率比PCu/PIn来进行调控; 而薄膜形貌则取决于靶功率比和薄膜的成分. 随着PCu/PIn的增大, 薄膜物相由富铟相向CuInS2转变. 对于CuInS2薄膜, 提高铜铟原子比[Cu]/[In]可改善薄膜的结晶质量. 但当薄膜富铜时, 过高的[Cu]/[In]又会导致薄膜结晶质量的下降. 当CuInS2薄膜为富铜与略微贫铜时, 其导电类型为P型; 且载流子浓度随[Cu]/[In]增加而增大, 并远高于其它贫铜薄膜. CuInS2薄膜的载流子迁移率明显高于富铟相薄膜; 且随着[Cu]/[In]的提高, CuInS2薄膜的载流子迁移率呈上升趋势, 而电阻率则迅速下降.
关键词:
反应磁控溅射
,
CuInS2
,
solar cell
,
electrical property
,
thin film
陈乃波
,
吴惠桢
,
徐天宁
,
余萍
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00993
在蓝宝石(0001)衬底上低温生长立方相MgxZn1-xO(x>0.5)晶体薄膜, 用X射线衍射(XRD)和透射光谱分析高温退火对薄膜的结构和光学性质的影响. 结果表明: 对Mg0.53Zn0.47O薄膜, 在900℃的退火温度下, (0002)衍射峰以及透射光谱上双吸收边的出现均表明有六方结构从其立方结构中分离出来；但对于Mg含量高于55%的样品, 即使经历了1000℃的高温退火, 也不会有任何相分裂现象出现. 而电学测试结果表明, 高温下热稳定性良好的立方相Mg0.55Zn0.45O晶体薄膜还能用于金属-绝缘体-半导体的绝缘层, 并且漏电流小. 由此可以判断, x≥0.55的超饱和MgxZn1-xO薄膜具有稳定的立方相晶体结构和优良的光学、电学性质, 因而是制作高质量的光电子器件和量子阱激光器的理想材料.
关键词:
立方相MgxZn1-xO薄膜
,
anneal
,
crystal structure
,
optical property
,
electrical property
彭昌文
,
张惠敏
,
常爱民
,
黄霞
,
姚金城
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01037
采用氧化物固相法制备Mn2.25-xNi0.75CoxO4(0.8≤x≤1.2)系列NTC(negative temperature coefficient)热敏电阻粉体材料. 利用激光粒度分析、XRD、SEM和电性能测试等手段, 表征了煅烧材料的颗粒尺寸、陶瓷体的物相、形貌以及陶瓷材料的电学特性与Co含量的关系. 结果表明: 在1130~1230℃烧结温度范围内, 该材料体系的B值和电阻率ρ25℃随Co含量的变化范围分别为3487~4455 K和1998~203617 Ω·cm, B值和电阻率随Co含量的增加先增大后减小. 该材料系列电阻率和B值调整范围较大, 是一种具有实际应用价值的NTC热敏电阻.
关键词:
NTC热敏陶瓷
,
spinel
,
electrical property
高玉竹
,
周冉
,
龚秀英
,
杜传兴
材料热处理学报
研究长波长InAsSb半导体材料在退火处理前、后,傅里叶变换红外(FTIR)透射光谱、组份元素In、Sb和As在外延层中的分布以及电学性质的变化.用熔体外延(ME)技术,在InAs衬底上生长InAs0.05Sb0.95外延层,外延层的厚度达到100 pm.在350℃下,在氢气氛中对样品进行了11h的退火.测量结果表明,退火处理使InAsSb样品的电子迁移率从300 K下的43600 cm2/(V·s)提高到77 K下的48300 cm2/(V·s),材料的电学性能及元素分布均匀性得到了明显改善.
关键词:
InAsSb
,
退火处理
,
元素分布
,
电学性质
袁昌来
,
刘心宇
,
陈国华
,
杨云
,
骆颖
,
周秀娟
人工晶体学报
采用丝网印刷工艺制备了CuO/BaCo0.02ⅡCo0.04ⅢBi0.94O3共掺Ba0.5Bi0.5Fe0.9Sn0.1O3热敏厚膜,并借助X射线衍射仪、扫描电子显微镜及交流阻抗谱对厚膜的物相、形貌和电学性能进行表征分析.CuO的存在使得厚膜中的BaCo0.02ⅡCo0.94ⅢBi0.94O3出现分解行为和非钙钛矿Ba-Bi氧化物的形成,厚膜主要由大量的颗粒链组成,单个颗粒链主要由Ba0.5Bi0.5Fe0.9Sn0.1O3构成的小晶粒和低熔点的BaCo0.02ⅡCo0.04ⅢBi0.94O3大晶粒组成.当厚膜中CuO含量添加至10％时,可获得最低的室温电阻率;300 h 150℃下,CuO含量为4％的厚膜老化率约为2.3％.厚膜的电学性能主要来自于晶界的贡献,较低温区内晶界表现为氧空位电导,较高温区下为电子与氧空位耦合电导.
关键词:
热敏厚膜
,
微结构
,
电学性能
