田无边
,
王佩玲
,
张国军
,
阚艳梅
,
李永祥
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00189
以铬粉, 铝粉和石墨为原料, 采用热压方法制备Cr2AlC陶瓷材料. 研究了组成、烧结温度对试样物相和密度的影响. 研究结果表明, 当原始组分中Al过量低于20at％时, 样品中的主相为Cr2 AlC, 另有微量的Cr7C3 相. Al过量超过20at％时, 样品为Cr2AlC单相. 试样的块体密度随Al过量的增大而下降. Al过量10at％在1400 ℃热压1h试样的室温硬度、弯曲强度和杨氏模量分别为3.5GPa, 375MPa和278GPa. 在75～269K温度区间, 样品的电导率随温度增加而线性地减少, 具有金属特性. 文中还报道了样品的热学性能.
关键词:
Cr2AlC
,
hot-pressed
,
ceramic
,
electric property
,
thermal conduction
周阳
,
程春生
,
赵敬伟
,
郑红芳
,
赵庆勋
,
彭英才
,
刘保亭
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00242
采用溶胶凝胶方法在玻璃基ITO电极上制备了Pt/ Pb(Zr 0.4 Ti 0.6 )O3(PZT)/ITO电容器.采用X射线衍射仪、铁电测试仪、分光光度计对其微观结构、电学性能及光学性能进行了测量.结果表明PZT薄膜结晶良好,具有（101）高度择优取向.铁电电容器具有良好的保持特性和抗疲劳特性,具有较大的剩余极化强度和电阻率,5V电压下的剩余极化强度和电阻率分别为41.7μC/cm2和2.5×109Ω·cm;漏电流测量结果表明电压小于0.8V时为欧姆导电机制,当电压大于0.8V时,漏电流满足肖特基发射机制.光学透射谱结果表明在短波范围内,PZT表现出强吸收作用;在长波范围内,PZT表现为强透射,最大透射率达到95%.
关键词:
Pt/PZT/ITO
,
sol-gel method
,
electric property
欧阳良琦
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赵明
,
庄大明
,
孙汝军
,
郭力
,
李晓龙
,
曹明杰
材料研究学报
使用磁控溅射铜铟镓硒(CuIn1-x GaxSe2,CIGS)四元陶瓷靶材制备沉积态预制膜,在240-550℃对预制膜进行退火处理,着重研究了退火温度对薄膜电学性能(载流子浓度及迁移率)的影响.结果表明:退火温度低于270℃时薄膜中存在CuSe低电阻相,CIGS薄膜的载流子浓度在1017-1019cm-3,迁移率在0.1 cm2·V-1·s-1左右,不适于作为太阳电池的吸收层;当退火温度高于410℃时薄膜中不存在CuSe相,薄膜具有10 cm2·V-1s-1左右的较高迁移率,载流子浓度在1014-1017cm-3;退火温度高于410℃时,随着退火温度的升高薄膜晶粒长大,结晶性增强,此时薄膜内部缺陷减少,载流子浓度升高;对于用作太阳电池吸收层的CIGS,从载流子浓度及迁移率的角度评判,合适的退火温度区间为450-550℃.
关键词:
无机非金属材料
,
太阳电池
,
铜铟镓硒
,
溅射
,
电学性能
