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Influence of Nitrogen Flow Rate on the Microstructure and Properties of N and Me (Me=Cr, Zr) Co-doped Diamond-like Carbon Films

Zhiyun Han

材料科学技术(英文)

In this paper, Me (Me=Cr, Zr) and N co-doped diamond like carbon (DLC-MeN) composite films were prepared on cemented carbide substrates by pulsed bias arc ion plating. The effect of nitrogen flow rates on the microstructure and properties of the films were investigated by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Raman spectra, grazing incident X-ray diffraction (GIXRD), high resolution transmission electron microscopy (HRTEM) and nano-indentation. Raman, GIXRD and HRTEM results show that the deposited films are nanocomposite films with MeN nanocrystalline phase embedded within DLC amorphous matrix, which are vital for the mechanical properties of the films. The nitrogen flow rate has significant effect on the compositions and structures and hence on the hardness and elastic modulus of the films, and increasing nitrogen flow rate decreases drastically the hardness and elastic modulus of the films.

关键词: Diamond like carbon films , doping , Nitrogen flow rate , Arc ion plating

非晶硅太阳电池窗口层材料掺硼非晶金刚石的研究

朱嘉琦 , 卢佳 , 田桂 , 檀满林 , 耿达

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.01064

以固态掺杂方式利用过滤阴极真空电弧技术制备掺硼非晶金刚石薄膜, 获得性能优良的宽带隙p型半导体材料, 再利用等离子增强化学气相沉积技术制备p-i-n结构非晶硅太阳电池的本征层和n型层, 最终制成以掺硼非晶金刚石薄膜为窗口层的非晶硅太阳电池. 利用Lambda950紫外-可见光分光光度计表征薄膜的光学带隙, 并测试电池开路电压、短路电流、填充因子以及转化效率等参数, 再分析电池的光谱响应特性. 实验表明, 掺硼非晶金刚石薄膜的光学带隙(~2.0eV)比p型非晶硅更宽, 以掺硼非晶金刚石薄膜用作非晶硅太阳电池的窗口层, 能够改善电池的光谱响应特征, 并提高转化效率达10%以上.

关键词: 非晶金刚石薄膜 , amorphous silicon solar cells , doping , conversion efficiency

Eu3+掺杂新颖铝硅酸盐的合成、表征及发光特性

常加忠 , 李敏 , 石恒真

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00565

在温和的固相反应条件下, 通过水解反应制备了与NaGdSiO4同构的Eu3+掺杂的新颖铝硅酸盐晶体发光材料NaAlSiO4:Eu3+, 样品用X射线衍射分析和场发射电子扫描显微镜表征, 实验结果表明, Eu3+掺杂铝硅酸盐在紫外光的激发下能够发射出较强的红色荧光, 文章也讨论了不同烧结温度和不同掺杂浓度对材料发光的影响.

关键词: 铝硅酸盐 , doping , solid-state , fluorescence

Ca-(Na,Ce)-Bi-Ti系列高温压电陶瓷材料及其压电性能的研究

黄宣威 , 李承恩

无机材料学报

本文开展了对CaBi4Ti4O15基料的置换和掺杂的研究,获得一个较好的Ca-(Na,Ce)-Bi-Ti材料系列,并在该材料系列的基础上再进行一元和多元掺杂,使它的d33值较CaBi4Ti4O15有较大程度的改善,其电阻率、电容和损耗的温度系数也均优于CaBi4Ti4O15,是一种较有开发潜力的高温压电陶瓷材料.

关键词: 高温压电陶瓷材料 , curie temperature , replacement , doping , null

Ba掺杂对稀土硼化物GdB6结构, 晶粒取向和热发射性能的影响

包黎红 , 张久兴 , 周身林

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.11152

采用反应放电等离子烧结技术, 以BaH2, GdH2纳米粉和B粉为原料, 成功制备了多晶稀土硼化物(BaxGd1-x)B6 (x=0, 0.2, 0.4, 0.8). 采用XRD、EBSD技术研究了掺杂元素Ba对GdB6晶体结构及晶粒取向的影响, 并测量不同温度下的热发射性能. 结果表明, 所有烧结样品与传统烧结方法相比, 具有高致密度(>97%)和很高的维氏硬度(2070 kg/mm2). GdB6 在1873 K时, 最大发射电流密度为11 A/cm2, 该值远高于传统方法制备的电流密度值. 随着Ba含量的增加, 发射电流密度从11 A/cm2 减小到2.25 A/cm2.

关键词: 稀土硼化物 , spark plasma sintering , emission property , doping

Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3压电陶瓷的温度稳定性研究

陆翠敏 , 刘庆锁 , 左建波 , 孙清池

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00271

探讨了硬性添加物MnO2、软性添加物Nb2O5和两性添加物Cr2O3对锑锰锆钛酸铅Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3(简称PMSZT5)压电陶瓷的相组成及温度稳定性的影响. 研究结果发现: 各掺杂组成在900℃的煅烧温度下, 都可以得到钙钛矿结构. 随着各掺杂离子的增大, 四方相含量减少, 准同型相界向三方相移动. 综合考虑离子掺杂对PMSZT5压电陶瓷的机电性能及温度稳定性的研究结果表明: 锰过量较其它铌和铬掺杂的温度稳定性更好, 机电性能最佳的PMSZT5+0.1wt% MnO2的组成, ε33T/ε0=1560, d33=350pC/N, Kp=0.63, -25~80℃的frK31d31平均温度系数分别为72×10-6/℃、-0.027%/℃和0.100%/℃.

关键词: PMSZT压电陶瓷 , doping , crystallographic phase , temperature stability

硬脂酸法制备纳米TiO2及微结构控制

杨娟 , 李丹 , 吴东辉 , 杨绪杰 , 陆路德 , 汪信

无机材料学报

采用硬脂酸法制备了不同掺杂量的TiO纳米晶.通过FTIR、XRD和TEM等实验手段对所得纳米TiO2进行分析和表征,并对反应历程进行了初步探讨.实验结果表明,利用硬脂酸法,金红石型TiO能在500℃获得,掺杂Na和K后则得到锐钛矿型TiO,且随着掺杂量的增加,TiO的粒径减小.

关键词: 硬脂酸法 , titania , doping , microstructure

Na2Mo0.1S0.9O4(α)-In2(SO4)3体系的导电性、相关系与红外光谱研究

杨书廷 , 吕庆章 , 曹益林 , 赵林治 , 张明春 , 丁立 , 陈立泉

无机材料学报

本文报道了应用X射线衍射、差热分析、IR光谱及电测量技术对Na2MO0.1S0.9O4(α)In2(SO43体系的研究结果,讨论了In2(SO43对Na2MO0.1S0.9O4(α)的导电性及相存在形式的影响,分析了In3+的掺入使Na2Mo0.1S0.9O4电导率提高的原因.

关键词: Na+离子导体 , cation vacancy , phase relation , doping

镁离子掺杂对 LiFePO4/C电化学性能和结构的影响

杨书廷 , 刘玉霞 , 尹艳红 , 王辉 , 崔成伟

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00627

以乳酸镁做为Mg2+的掺杂源和部分的碳源, 在惰性氛围下用模板-固相合成法合成了掺Mg2+的LiFePO4/C复合正极材料, 考察了Mg2+对于目标化合物电化学和物理性能的影响. 研究结果表明, 在C/3倍率下材料掺杂前后第二个循环的放电容量分别为140.5和159.9mAh/g, 循环20次后容量为140.4 和162.1mAh/g. 电化学交流阻抗表明, 掺杂后的材料阻抗Rct从180Ω 减小到120Ω. 掺杂后振实密度比掺杂前提高了0.229g·cm-3.

关键词: 乳酸镁 , LiFePO4/C , cathode material , doping

Si4+离子对Y3+:PbWO4晶体闪烁性能及辐照硬度的影响

张昕 , 廖晶莹 , 谢建军 , 沈炳孚 , 邵培发 , 李长泉 , 袁辉 , 殷之文

无机材料学报

Y3+离子掺杂钨酸铅晶体特殊的低剂量率辐照行为一般在晶体顶端表现更为明显,以往研究认为该现象起因于晶体中有效分凝系数<1的Na+、K+和Si4+等杂质在顶端的富集.本文研究了Si4+掺杂的Y3+:PWO晶体,对晶体顶端和晶种端的分段晶体测试了退火温度对晶体透过率和辐照硬度的影响,结果发现:在实验所涉及的掺杂浓度范围内,Si4+离子杂质对Y3+:PWO晶体的辐照硬度及透过率无影响,可以认为Y3+:PWO晶体特殊的低剂量率辐照行为和晶体中的Si4+离子含量无关.

关键词: 钨酸铅 , doping , radiation hardness , scintillation

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