材料期刊网

偏铌酸铅陶瓷低频内耗的研究

贺连星 , 李承恩 , 陈廷国 , 刘卫 , 朱震刚 , 水嘉鹏

无机材料学报

用低频倒置扭摆对改性偏铌酸铅铁电陶瓷的内耗进行了研究．在新加工的样品中发现了六个内耗峰，分别位于７０℃（Ｐ_１峰）、 ９０℃（Ｐ_２峰）、２００℃（Ｐ_３峰）、２６０℃（Ｐ_４峰）、４３０℃（Ｐ_５峰）和５１０℃（Ｐ_６峰）处．对引起Ｐ_３、Ｐ_１、Ｐ_２和Ｐ_４峰的物理机制进行了详细探讨．分析结果表明，Ｐ_３峰的本质是一定化的 Ｄｅｂｙｅ弛豫内耗峰。相应的激活能和指前因子分别为１．０１４Ｖ和 ２．４×１０^－１４ｓ．它源于氧空位与畴壁的相互作用． Ｐ_１、 Ｐ_２和 Ｐ_４峰与试样的切割加工密切相关，可归结为点缺陷与位错的交互作用．

关键词: 内耗 , lead metaniobate ceramics , domain walls , oxygen vacancy