郑永挺
,
韩杰才
,
杜善义
无机材料学报
采用ＳＨＳ工艺，在１００ＭＰａ高压氮气下，制备了致密的ＡＩＮ－ＴｉＣ陶瓷，相对密度达９５％，抗弯强度达２４０ＭＰａ．研究表明，ＡＩ－Ｎ２－ＴｉＣ体系ＳＨＳ过程中，当反应温度升至６６０℃时，ＡＩ熔化．高温下熔融ＡＩ在ＴｉＣ表面发生漫流现象，在ＳＨＳ反应区发生液相烧结，从而使反应区孔隙率显著下降，当开气孔闭合时在气相等静压作用下形成致密产物．随着ＴｉＣ含量增加，液相烧结作用增强，产物致密度显著提高，抗弯强度及断裂韧性提高．ＡＩ－Ｎ２－ＴｉＣ体系的ＳＨＳ致密化主要发生在燃烧波蔓延方向，具有明显的方向性．
关键词:
AlN-TiC陶瓷
,
combustion synthesis
,
SHS-HIP
,
densification
,
null
邹继兆
,
曾燮榕
,
熊信柏
,
谢盛辉
,
唐汉玲
,
李龙
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00677
以炭毡为预制体, N2为稀释气体, 甲烷为炭源前驱体, 其分压为10kPa, 沉积温度为1100℃的工艺条件下,研究了不同的气体滞留时间(0.05、0.1、0.15、0.2s)对微波热解CVI工艺制备炭/炭复合材料的致密化速率、样品的体积密度及其密度均匀性的影响, 并对其组织结构进行了观察. 分析了气体的滞留时间对微波热解CVI工艺制备炭/炭复合材料的影响规律及组织结构的变化. 结果表明: 采用微波热解CVI工艺在1100℃90h内制备出体积密度为1.70g·cm-3的炭/炭复合材料, 在滞留时间为0.15s时预制体呈现从内到外逐步致密的规律. 同时, 随着滞留时间的延长, 热解炭的组织结构从低织构到中等织构变化.
关键词:
炭/炭复合材料
,
microwave pyrolysis CVI
,
residence time
,
densification
林枞
,
徐政
,
彭虎
,
孙丹峰
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00917
研究了微波烧结的ZnO压敏电阻的致密化和生长动力学, 微波烧结温度从900～1200℃, 保温时间从20min～2h. 研究表明, 微波烧结ZnO压敏电阻的物相组成和传统烧结的样品没有区别; 微波烧结有助于样品的致密化, 并降低致密化温度. 随着烧结温度的升高, 致密化和反致密化作用共同影响样品的密度, 其中Bi的挥发是主要影响因素. 微波烧结ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为2.9～3.4, 生长激活能为225kJ/mol, 传统烧结的ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为3.6～4.2, 生长激活能为363kJ/mol. 液相Bi2O3、尖晶石相和微波的“非热效应”是影响微波烧结ZnO压敏电阻陶瓷晶粒生长的主要因素.
关键词:
微波烧结
,
zinc oxide varistor
,
densification
,
grain growth kinetics
刘毅
,
劳令耳
,
袁望治
,
黄英才
无机材料学报
采用纳米ZrO2(8Y)粉和纳米ZnO粉为原料,对掺少量ZnO的ZrO2(8Y)进行无压烧结研究.实验结果表明,掺少量的ZnO能促进ZrO2与Y2O3的反应,加快四方相向立方相的转变,样品致密度和电导率显著提高.掺0.5wt％ZnO样品在1200℃煅烧2h的陶瓷致密度为94％,700℃时的电导率为9.02×10-3cm-1·Ω-1.
关键词:
纳米ZrO2（8Y）
,
nano-ZnO
,
densification
,
conductivity
李建立
,
苏哲安
,
张明瑜
,
杨鑫
,
黄启忠
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00711
采用高密度3D炭纤维预制体, 以丙烯作为碳源, 氮气作为载气, 利用自制的快速CVI炉制备了板形C/C复合材料. 详细分析了压差等工艺参数在CVI制备C/C复合材料过程中对“封孔”现象的影响, 采用扫描电镜(SEM)和正交偏光显微镜(PLM)对各阶段C/C材料的微观形貌特征作了详细研究, 分析了预制体在増密过程中密度的变化, 初步探讨了“封孔”形成的机理. 实验证明: 采用多阶段CVI工艺可明显改善板形C/C材料封孔现象, 初始密度为0.94g/cm3的高密度预制体经过250h的增密, C/C复合材料密度达到了1.82g/cm3.
关键词:
炭/炭复合材料
,
multi-stage CVI
,
sealed pores
,
densification
,
high temperature treatment
罗丹
,
骆仲泱
,
余春江
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.01041
采用乙二胺四乙酸(EDTA)-硝酸盐、溶胶-凝胶低温自蔓延燃烧法合成了Sm0.15Gd0.05Ce0.O1.9 (SGDC)纳米粉体, 研究了以不同分散方式和分散时间制备的SGDC在各种烧结温度下的致密化行为. 为更好地考察团聚对SGDC致密化的影响, 本实验引入团聚体系数(Coagulation factor)来具体表征和量化纳米SGDC的团聚程度. 结果表明: 团聚在烧结过程中, 严重阻碍和抑制了SGDC的致密化; 在同一烧结温度下, 团聚体系数较低的固溶体具有更高的烧结致密度. 通过高剪切乳化分散后, SGDC的团聚体系数为1.04时, 烧结致密化温度可降低至1300℃. 这个温度比以前文献中所报道的1400～1600℃的烧结温度要低得多. 通过对团聚的控制, 显著改善了SGDC电解质的烧结性能.
关键词:
固体氧化物燃料电池
,
Sm0.15Gd0.05Ce0.8O1.9
,
agglomeration
,
densification
朱棋锋
,
邱法斌
,
全宇军
,
王永为
,
全宝富
,
徐宝琨
无机材料学报
以常规无机试剂和含硅有机试剂为原料,采用溶胶-凝胶过程与压制成型烧结相结合的方法制备了NASICON纳米晶固体材料,利用TG-DTA对前驱凝胶原粉进行了分析测试,结果表明,NASICON相结构的形成温度范围为750～890℃.实验中重点对800～1000℃烧结所得纳米晶材料进行了表征.目的产物的XRD、FT-IR、FE-SEM、IS结果以及阿基米德法致密度测量结果显示,采用合适的烧结温度和周期可以成功制备出具有纳米级颗粒尺寸、良好结晶特性和较高致密度的固体电解质NASICON材料.材料电学特性测试结果表明,所制备的纳米晶固体电解质材料具有良好的离子导电特性和合理的离子传导激活能,其复合电导与温度倒数的Arrhenius图具有很好的线性关系,并且具有较高结晶特性的材料显示出更高的离子电导率.
关键词:
纳米晶固体材料
,
NASICON
,
sintering temperature
,
densification
李国军
,
黄校先
,
郭景坤
无机材料学报
采用包裹工艺和热压工艺制备了Al2O3/Ni金属陶瓷。在1450℃热压Ni包裹Al2O3复合粉体得到相对密度>98％的金属陶瓷,当温度>1400℃时,随着Ni含量的增加致密度下降.Ni颗粒位于三角晶界,随着含量的增加,断裂方式由沿品转为穿晶断裂;在Al2O3基体中引入Ni颗粒能够降低晶粒尺寸,提高强度和韧性.与单相Al2O3的力学性能相比,综合力学性能较好的NA4金属陶瓷的抗弯强度和断裂韧性分别提高了19％和35％,分析了金属陶瓷的增强增韧机制.
关键词:
Al2O3/Ni金属陶瓷
,
densification
,
microstructure
,
mechanical properties
