夏士兴
,
杨春晖
,
朱崇强
,
马天慧
,
王猛
,
雷作涛
,
徐斌
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01029
采用布里奇曼法生长了磷化锗锌晶体, 晶体毛坯尺寸达直径20mm×90mm, 选取晶体尾部、晶体中部、籽晶端三个部位厚度为4.0mm的抛光晶片作为测试样品. 从实验和理论上研究与分析了晶体的近红外吸收特性. 实验结果显示: 晶体透过率由尾部至近籽晶端逐渐增大, 表明晶体近红外吸收由尾部至近籽晶端逐渐减小, 这是由于晶体内缺陷密度发生了改变, 且晶体内本征点缺陷分布比例不均衡, 进而导致晶体的近红外吸收产生差异. 理论上计算了磷化锗锌晶体施主缺陷和受主缺陷的吸收光谱. 计算结果表明: 受主缺陷对磷化锗锌晶体吸收光谱产生的影响大于施主缺陷.
关键词:
磷化锗锌
,
near infrared absorption
,
defects density
,
donor defects
,
acceptor defects
