材料期刊网

介孔复合半导体NiO-TiO₂的制备与光响应性能

王希涛 , 贺忠 , 钟顺和

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00215

采用模板剂法制备了系列NiO-TiO₂复合半导体，用N₂吸附-脱附、XRD、TPR、TEM和UV-Vis DRS等方法对半导体材料的孔结构、表面构造、能带结构与其吸光特性进行了分析. 结果表明：所制备的NiO-TiO₂为介孔结构的纳米管或带，其比表面积超过100m²/g；NiO在TiO₂表面分散均匀，并部分形成NiTiO₃固熔体；NiO与TiO₂间存在明显的复合效应，当NiO含量由2%增加至10%时，其Eg值由3.82eV降至3.49eV，有效地拓展了光响应范围.

关键词: 介孔 , coupled semiconductor , NiO-TiO₂ , photo absorption property