程韬
,
贾建刚
,
马勤
,
季根顺
,
郭铁明
材料热处理学报
采用X射线衍射仪(XRD)和扫面电子显微镜(SEM)研究了短碳纤维表面镀铜层的物相及镀铜层的生长过程,分析了电沉积镀铜机理,优化了其工艺.结果表明,当镀铜电压为1V时,Cu在碳纤维表面择优位置形核,形核率和长大速度较低,沉积30 min碳纤维表面形成的Cu镀层不完整;1.5V时沉积30 min的Cu镀层完整性较1V时明显改善,电压为2V时沉积30 min可以得到均匀的镀层;当电压为2.5V时,Cu镀层生长速度显著加快,镀层易脱落.
关键词:
短碳纤维
,
电沉积
,
镀铜
,
增强体
