王文邓
,
夏玉娟
,
王安宝
,
许钫钫
,
黄富强
,
林信平
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00185
通过高温(1100℃)固相反应、球磨(t=0~180min)和低温(750℃)退火处理制备了平面显示用ZnS:Cu电致发光材料. 用X射线衍射、紫外-可见吸收光谱、扫描电镜、光致发光光谱对所得样品进行了分析. 在100V和400Hz条件下, 通过测试电致发光屏的性能, 研究了材料的电致发光特性. 结果表明, 球磨使得材料的一些衍射峰强度降低和峰宽增大, 吸收边也略微红移. 随球磨时间的增加, 光致发光性能下降, 球磨180 min后光致发光亮度下降了约58%, 而电致发光亮度则从14.39cd/m2(t=0min)增至最优值90.13cd/m2(t=160min). 球磨造成的荧光粉内部的微结构缺陷是导致光致和电致发光性能发生变化的根本原因.
关键词:
光致发光
,
electroluminescence
,
ZnS
,
milling
焦志辉
,
张孝彬
,
程继鹏
,
陶新永
,
贺狄龙
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00491
碳纳米管用氨水、乙二胺四乙酸(EDTA)进行表面改性, 然后通过硫代乙酰胺、醋酸锌、水和表面改性的碳纳米管在水浴超声条件下发生溶液化学反应, 在碳纳米管表面包裹了一层分布均匀、致密的ZnS纳米晶粒. 用XRD、TEM、SAED、SEM、FTIR、PL等表征手段对材料进行了结构及性能表征. 研究结果表明: 对碳纳米管进行乙二胺四乙酸处理是实现ZnS纳米晶粒在碳纳米管表面均匀、致密包裹的重要因素, 碳纳米管/ZnS复合材料的光致发光性较之相同方法合成的ZnS, 俘获态发射峰蓝移6nm, 而能带边缘发射峰蓝移16nm. 通过对FTIR及不同表面改性碳纳米管的对比试验研究, 给出了碳纳米管/ZnS复合材料的形成机理.
关键词:
碳纳米管
,
ZnS
,
coating
,
photoluminescence
李汶军
,
施尔畏
,
郑燕青
,
吴南春
,
殷之文
无机材料学报
在自然界中硫化物晶体的种类较多，其结构较复杂，其中硫离子以S2-和对硫S2-2形式存在．一部分晶体的生长习性得不到满意的解释．本文采用配位多面体生长习性法则合理地解释了MoS2、ZnS、CuFeS2和PbS晶体的生长习性．发现MOS2晶体的生长习性为六方平板状｛0001｝，其各晶面的生长速度为：V＜0001＞＜V＜1010＞；CuFeS2和ZnS晶体的生长习性为四面体，其各晶面的生长速度为：V＜111＞＞V＜001＞＞V＜111＞；PbS晶体的生长习性为八面体｛111｝，立方体只是它的一种习性变化.
关键词:
MoS2
,
ZnS
,
CuFeS2
,
PbS
,
growth habit
徐扬子
,
胡鹤
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00847
ZnS包覆SiO2 三维核壳结构或空腔结构纳米球可用于光子晶体的组装. 本实验采用层层自组装法, 利用二氧化硅模板表面的静电作用吸附纳米晶粒子, 生成纳米晶包覆层, 制备核壳结构的SiO2@ZnS和SiO2@ZnS:Mn2+纳米球. 控制氢氟酸对二氧化硅的蚀刻程度, 制备了空腔型硫化锌纳米球. 采用XRD、UV、PL、TEM、SEM、AFM等测试手段对核壳结构和空腔型硫化锌纳米球进行了表征. 结果表明ZnS纳米晶包覆SiO2后, 在其表面形成了包裹紧密、形貌规整、粒径均一的ZnS壳层; 经5％ 氢氟酸蚀刻得到的空腔纳米球结构完好、厚度均匀.
关键词:
光致发光
,
sulfur zinc
,
nanocrystalline
,
core-shell structure
,
hollow nanosphere
