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王连洲 , 施剑林 , 禹剑 , 阮美玲 , 严东生
无机材料学报
在室温碱性条件下合成了Ti掺杂的介孔硅材料MCM-41,借助XID、IR、HREM和N2吸附等分析手段,探讨了Ti掺杂量对介孔材料结构和性能的影响.结果表明:掺杂的Ti离子可以进入Si骨架,并生成Si-O-Ti键.随着Ti掺杂量的增加,六方规则排列的介孔硅结构有序度下降,最终可导致结构一致性的破坏.
关键词: 介孔硅材料 , Ti-doped , mesopore structure